通过Horner-Emmons反应合成了由交替的三芳基胺和全氯三苯基甲基自由基部分组成的多自由基。该化合物是第一种在NIR中显示间隔电荷转移(IV-CT)的聚合物中性混合价化合物。聚合物与参考单体的吸收光谱的比较表明,IV-CT跃迁仅限于一个重复单元。通过循环伏安法估计,HOMO和LUMO的水平相对于真空分别为-5.5和-4.5 eV。与光学带隙(1.2 eV)相比,显示出非常低的激子结合能。通过fs泵探针瞬态吸收光谱研究了溶液中聚合物的电子转移性质。在光激发之后,聚合物在ps时间范围内显示出双指数衰减。短暂的,溶剂依赖性的成分是指从IV-CT状态到基态的直接衰减,而长寿的,与溶剂无关的成分暂时归因于IV-CT状态的平衡形成和完全电荷分离状态。在有机场效应晶体管(OFET)器件的薄膜中研究了电荷传输特性。电子迁移率和空穴迁移率均约为3×10-5 cm 2 V -1 s -1,表明聚合物的双极性传输行为。
通过Horner-Emmons反应合成了由交替的三芳基胺和全氯三苯基甲基自由基部分组成的多自由基。该化合物是第一种在NIR中显示间隔电荷转移(IV-CT)的聚合物中性混合价化合物。聚合物与参考单体的吸收光谱的比较表明,IV-CT跃迁仅限于一个重复单元。通过循环伏安法估计,HOMO和LUMO的水平相对于真空分别为-5.5和-4.5 eV。与光学带隙(1.2 eV)相比,显示出非常低的激子结合能。通过fs泵探针瞬态吸收光谱研究了溶液中聚合物的电子转移性质。在光激发之后,聚合物在ps时间范围内显示出双指数衰减。短暂的,溶剂依赖性的成分是指从IV-CT状态到基态的直接衰减,而长寿的,与溶剂无关的成分暂时归因于IV-CT状态的平衡形成和完全电荷分离状态。在有机场效应晶体管(OFET)器件的薄膜中研究了电荷传输特性。电子迁移率和空穴迁移率均约为3×10-5 cm 2 V -1 s -1,表明聚合物的双极性传输行为。