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tetrakis[bis(trimethylsilyl)methyl]diindane | 125739-95-9

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
tetrakis[bis(trimethylsilyl)methyl]diindane
英文别名
tetrakis[bis(trimethylsilyl)methyl]diindium(4);tetrakis[bis(trimethylsilyl)methyl]diindane(4)
tetrakis[bis(trimethylsilyl)methyl]diindane化学式
CAS
125739-95-9
化学式
C28H76In2Si8
mdl
——
分子量
867.235
InChiKey
AKTYMSZTKIGLQJ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    11.55
  • 重原子数:
    38.0
  • 可旋转键数:
    13.0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    0.0
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    0.0

上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    tetrakis[bis(trimethylsilyl)methyl]diindane 在 trimethylsilyldiazomethane 作用下, 以 正己烷 为溶剂, 生成 tris[bis(trimethylsilyl)methyl]indane
    参考文献:
    名称:
    重氮甲烷衍生物与双元素化合物 R2Al–AlR2 和 R2Ga–GaR2 的反应 [R = CH(SiMe3)2] – 插入与断裂
    摘要:
    四[双(三甲基甲硅烷基)甲基]二丙烷(4)1 在室温下通过将末端氮原子插入铝-铝键与三甲基甲硅烷基重氮甲烷和双(三甲基甲硅烷基)重氮甲烷反应。如晶体结构测定所示,每个产物的一个铝原子通过与 C=N-N 基团的中心氮原子相互作用将其配位数提高到 4,从而形成三元 AlN2带有环外 N=C 双键的杂环。含有镓-镓单键的相应镓化合物(2)的反应需要更剧烈的条件。形成了许多未知产物的混合物,只有用三甲基甲硅烷基重氮甲烷处理,反复重结晶后才能分离出两种化合物,产率低于10%,其特征在于晶体结构测定。一种被鉴定为具有九元 Ga3C3N3 杂环的三聚二烷基镓氰化物 (8),另一种 (9) 具有由螯合配体 NH2–N=C(SiMe3)–NH 的两个末端氮原子配位的二烷基镓片段-. 由于 NMR 光谱表征,8 在溶液中似乎是四聚体,具有包含四个不同镓原子的不对称结构。有了这种不寻常的结构,现在可以完全解释四聚二甲基氰化镓的红外光谱,这是
    DOI:
    10.1002/(sici)1099-0682(199901)1999:1<201::aid-ejic201>3.0.co;2-o
  • 作为产物:
    描述:
    In2Br4*(TMEDA)2 、 bis(trimethylsilyl)methyllithium乙醚正戊烷 为溶剂, 以54%的产率得到tetrakis[bis(trimethylsilyl)methyl]diindane
    参考文献:
    名称:
    四[双(三甲基甲硅烷基)甲基]二茚四(4)mitInIndium-Bindung
    摘要:
    In 2 Br 4 ·2TMEDA与双(三甲基甲硅烷基)甲基锂反应形成四[双(三甲基甲硅烷基)甲基]二茚满(4)(1),具有铟in铟键并从正戊烷中沉淀出桔红色晶体。虽然分子结构1非常类似于铝和镓类似物中,1是不同种型于这些化合物。在metalmetal距离1是282.8微米。(TMEDA)Li(μ-Br)2 In [CH(Sime 3)2 ] 2(也通过X射线衍射分析表征)和In [CH(Sime 3)2 ] 3 被分离为副产物。
    DOI:
    10.1016/0022-328x(89)85308-2
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文献信息

  • The insertion of chalcogen atoms into the InIn bond of tetrakis[bis(trimethylsilyl)methyl]diindane(4): monomeric compounds with InSIn, InSeIn, and InTeIn groups
    作者:Werner Uhl、Rene Graupner、Hans Reuter
    DOI:10.1016/0022-328x(96)06392-9
    日期:1996.10
    indium-indium bond of tetrakis[bis(trimethylsilyl)methyl]diindane(4)(1) by the reaction of 1 with the chalcogen atom donors propylene sulphide, triethyl phosphonium selenide or telluride yields homoleptic compounds with up to now unknown R2InSInR2 (2), R2InSeInR2 (3), and R2InTeInR2 (4) groups. All products are monomeric, both in solution and in the solid state, as shown by the cryoscopically
    通过1与族原子供体丙烯醚,三乙基的反应,将族元素原子插入四[双(三甲基甲硅烷基)甲基]二茚满(4)(1)的-键中,得到均聚物到现在未知- [R 2 InSInR 2(2)中,R 2 InSeInR 2(3),并且R 2 InTeInR 2(4)组。如通过冷冻测定的摩尔质量和晶体结构测定所显示的,所有产物在溶液和固态均为单体的。-族元素-桥是弯曲的,并且具有112.4(1)和116.8(2)°(2),109.96(3)°(3)和105.42(2)°(4)的角度。
  • Insertion von Rhodizonsäure in die Gallium-Gallium- bzw. Indium-Indium-Bindungen von Digallan(4)- bzw. Diindan(4)-Verbindungen
    作者:Werner Uhl、Malte Prött
    DOI:10.1002/1521-3749(200211)628:11<2259::aid-zaac2259>3.0.co;2-c
    日期:2002.11
    l] digallan(4) (1) und der entsprechenden Diindiumverbindung (2) unter Oxidation der Gallium- bzw. Indiumatome von +II nach +III. Ein Protonentransfer zu den elementorganischen Gruppen findet nicht statt, vielmehr insertiert sich die Saure vollstandig in die Element-Element-Bindungen. Die Dialkylgallium- bzw. Dialkylindiumreste der Produkte (3 (Ga) und 4 (In)) werden durch jeweils zwei Sauerstoffatome
    Rhodizonsaure (C6O6H2, 5, 6-Dihydroxy-5-cyclohexen-1, 2, 3, 4-tetraon) reagiert mit Tetrakis[bis(trimethylsilyl)-methyl] digallan(4) (1) und der entsprechenden Diindiumverbindung (2) unter氧化 der - bzw。Indiumatome von +II nach +III。Ein Protonentransfer zu den elementorganischen Gruppen findet nicht statt, vielmehr insertiert sich die Saure vollstandig in die Element-Element-Bindungen。模具二烷基-bzw。Dialkylindiumreste
  • The Reactions of R2Ga−GaR2 and R2In−InR2 [R = CH(SiMe3)2] with Protic Reagents: Substituent Exchange versus Cleavage of the Element−Element Bond
    作者:Werner Uhl、Rene Graupner、Ingo Hahn、Thomas Spies、Walter Frank
    DOI:10.1002/(sici)1099-0682(199803)1998:3<355::aid-ejic355>3.0.co;2-h
    日期:1998.3
    Tetrakis[bis(trimethylsilyl)methyl]digallane(4) (1) with a Ga−Ga single bond and the corresponding diindane(4) 2 with an In−In single bond were treated with different protic reagents: tert-Butyl alcohol did not react with 1 at all, while phenol gave a mixture of unknown products, which could not be separated. The more acidic pentafluorophenol did not react as an acid, but C−F bonds were cleaved to
    具有 Ga-Ga 单键的四[双(三甲基甲硅烷基)甲基]二丙烷(4)(1)和具有 In-In 单键的相应二茚满(4)2 用不同的质子试剂处理:叔丁醇没有完全与 1 反应,而苯酚得到未知产物的混合物,无法分离。酸性更强的五氟苯酚不会作为酸反应,但 C-F 键被裂解,几乎定量地形成二聚体 (R2GaF)25,其特征在于晶体结构测定。和 1 产生二聚二烷基氢氧化 6。 Ga-Ga 键也通过 1 与 durylthiophenol(duryl = 2,3,5,6-四甲基苯基)的反应裂解,得到两种主要产物:R2Ga(SDuryl) 7和 RGa(SDuryl)28。相反,螯合酸二苯甲酰甲烷通过取代基交换反应,随着两个等价物的发布。双(三甲基甲硅烷基)甲烷对于 1 的每个分子式单元,形成 9,其中保留了 Ga-Ga 键,并且每个螯合 1,3-二苯基-1,3-丙二酮配体在末端位置仅与一个键合Ga原子,产率超过80%。与起始化合物四烷基二
  • Reactions of Tetraalkyldiindane(4), R<sub>2</sub>In−InR<sub>2</sub> (R = CH(SiMe<sub>3</sub>)<sub>2</sub>), with <i>tert</i>-Butyl and Phenyl Isonitriles. Formation of Adducts with Retention of the In−In Bond
    作者:Werner Uhl、Frank Hannemann、Rudolf Wartchow
    DOI:10.1021/om980250c
    日期:1998.8.1
    Tetrakis[bis(trimethylsilyl)methyl]diindane-(4) (I) reacts with tert-butyl or phenyl isonitrile not by the insertion of the isonitrile carbon atom into its In-In single bond but by the formation of weak adducts with one isonitrile molecule coordinated to each of the coordinatively unsaturated In atoms. While the tert-butyl isonitrile adduct 5 is almost centrosymmetric in the solid state with the largest possible separation between the bulky tert-butyl groups, the phenyl groups are neighbored and parallel in the corresponding phenyl derivative 6. The In-in distances of both compounds (2.8483 Angstrom on average for 5 and 2.8482(6) Angstrom for 6) are identical and only slightly lengthened compared! with the starting compound 1 (2.828(1) Angstrom).
  • Untersuchungen zur Carbeninsertion in Al-Al-, Ga-Ga- und In-In-Bindungen
    作者:Werner Uhl、Rolf Gerding、Frank Hannemann
    DOI:10.1002/(sici)1521-3749(199806)624:6<937::aid-zaac937>3.0.co;2-9
    日期:1998.6
    Tetrakis[bis(trimethylsilyl)methyl] dialane(4) 1 reacts with methylthiomethyl lithium LiCH2SMe by the formation of lithium thiomethanolate LiSMe and the insertion of the remaining carbene CH2 into its Al-Al single bond. A chelating Lewis acid is formed exhibiting a central R2Al-CH2-AIR(2) group with two coordinatively unsaturated Al atoms, which coordinate the thiomethanolate anion by Al-S bonds. The product (mu-methylene) (mu-thiomethanolato)bisbis[bis(trimethylsilyl)methyl]aluminate} (4) was characterized by a crystal structure determination and has a strongly folded Al2CS heterocycle in the molecular core. In contrast,;he corresponding compounds with Ga-Ga or In-In bonds show on treatment with methylthiomethyl lithium a fragmentation, and the carbene intermediate could not be detected in both isolated products, which were identified as [R2E(CH2SMe)(2)][Li(TMEDA)] (E = Ga: 5; E = In: 6) and LiCH(SiMe3)(2) probably formed by a metal exchange reaction.
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