通过溶胶-凝胶旋涂制备无机20GeO 2 180SiO 2 (
锗硅酸盐)薄膜,并在700和900℃下退火。通过在 1 到 6 范围内改变起始溶胶的 pH 值来研究薄膜的致密化和性能。薄膜中的 -OH 含量通过傅里叶变换红外光谱法估计。孔隙率值源自薄膜的指数 (n),由光谱椭偏法确定,并用于评估材料的致密化。对于在 700 和 900°C 下退火的样品,发现最小 -OH 伸缩带出现在 pH 3 时。对于900℃退火的薄膜,-OH伸缩带消失,孔隙率为零。原子力显微镜图像显示在 pH 3 下制备并在 900°C 下退火的相当光滑的薄膜表面。通过 X 射线衍射研究薄膜的非结晶性,并通过显微拉曼光谱证实。这项研究导致了高质量薄膜的开发。使用致密
锗硅酸盐薄膜的迭代沉积来制造具有 0.26 dB/cm 低传播损耗的 3 μm 单模(1.55 μm 波长)平板波导。