triethylphosphane selenide | 21522-01-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机磷化合物
• 英文名称: triethylphosphane selenide
• 英文别名: triethylphosphine selenide；Triaethyl-phosphinselenid；Triethylphosphinselenid；triethyl(selanylidene)-λ5-phosphane
• CAS: 21522-01-0
• 化学式: C₆H₁₅PSe
• 分子量: 197.119
• InChiKey: CJJMCWTVGRCTNJ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  108 °C
• 沸点：
  211.4±23.0 °C(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.15
• 重原子数：
  8
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  triethylphosphane selenide 反应 6.0h， 生成
  参考文献：
  名称：

  具有三电子键的电子俘获三烷基膦硫化物和硒化物自由基阴离子的单晶 ESR 和量子化学研究

  摘要：

  介绍了对三烷基膦硫化物和硒化物（R3PX：X = S、Se；R = CH3、C2HS、C&1）的 X 辐照单晶中电子捕获磷酰基自由基的低温 ESR 研究。g 张量和 ,'P 和 "Se 超精细耦合张量的主值和方向余弦被确定并与母体化合物的 X 射线结构分析相关。所有研究的化合物都揭示了 R3PX-自由基阴离子的形成，与三电子 PLX 键，其中未配对电子几乎均匀分布在磷和取代基 X 上。 结果表明，自由基的位点对称性对应于前体分子的结晶点对称性，从而产生纯三角 (C3) (C2HS)、PX- 和 C 的自由基，(CH,)、PX- 和 (C6H11)3PX- 的对称性。模型 H$S- 上的 Ab initio 量子化学计算（4-31G* SCF 和 CASSCF）预测三电子键不稳定并解离为 PH 和 SO-。计算并未重现实验耦合和观察到的自旋密度分布，但倾向于将未配对电子完全定位在硫上。这种缺

  DOI：

  10.1021/ja00218a004
• 作为产物：
  描述：

  三乙基膦 在 C₄₈H₅₀P₂Se₂ 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 16.0h， 生成 triethylphosphane selenide
  参考文献：
  名称：

  磷-硫属元素环的扩展和金属配位

  摘要：

  报道了含+3氧化态磷的4元（RPCh）2环（Ch = S，Se）的反应性。这些化合物在添加路易斯碱的情况下经历扩环成（RPCh）3的过程。发现六元环比四元前体更稳定，并通过实验和密度泛函理论计算研究了它们的形成机理。计算工作确定了两个可能的机理，这些机理涉及次膦基硫属元素化物中间体，它们是一种游离物质，也可以通过合适的碱稳定。发现4元和6元环均与造币金属反应，得到相同的产物：（RPCh）3个环以三脚架方式从磷原子结合到金属中心。

  DOI：

  10.1021/acs.inorgchem.7b02217
• 作为试剂：
  描述：

  1,3-bis(2,6-diisopropylphenyl)-1,3-diaza-2-silacyclopent-4-en-2-ylidene 在 triethylphosphane selenide 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 16.0h， 以69%的产率得到di-μ-seleno-di-1,3-bis(2,6-diisopropylphenyl)-1,3-diaza-2-silacyclopent-4-en-2-ylidene
  参考文献：
  名称：

  N-芳基取代的N-杂环亚甲硅烷基的合成与反应性

  摘要：

  据报道，通过适当的硅（IV）杂环的金属还原，合成了两个N-芳基取代的2-硅酰胺基氮杂环丁烷9a，b。由N-芳基取代的N-杂环亚甲硅烷基（NHSi）获得的结构和光谱数据与先前由其N-烷基取代的对应物获得的结构和光谱数据非常接近。NHSis图9a，b被用来作为起始原料的一系列dichalcogenadisiletanes的合成19 - 24和用于单亚甲硅基钨络合物的29。反应性研究表明，N-芳基取代的NHSis 9a，b与先前描述的N-烷基取代的亚甲硅烷基之间仅存在少许差异。

  DOI：

  10.1016/j.jorganchem.2009.10.034

文献信息

• Tin guanidinato complexes: oxidative control of Sn, SnS, SnSe and SnTe thin film deposition
  作者：Ibrahim Y. Ahmet、Michael S. Hill、Paul R. Raithby、Andrew L. Johnson

  DOI：10.1039/c8dt00773j

  日期：——

  analysis and single crystal X-ray structural analysis (7, 8, 10–13, 15–18). Thermogravimetric analysis (TGA) was used to probe the possible utility of complexes 6–8, 11–12 and 14–18 as single source Sn and SnCh precursors. The Sn(II) compounds 6 and 7 have been utilised in the growth of thin films by aerosol-assisted chemical vapor deposition (AACVD) at both 300 and 400 °C. The thin films have been analysed

  一族一般形式为[RNC（NMe 2）NR} 2 Sn]的锡（II）胍盐配合物（R = i Pr（6），Cy（7），Tol（9）和Dipp（10））和[ t BuNC（NMe 2）N t Bu} Sn NMe 2 }]（8）已被合成并从锡（II）双二甲酰胺与一系列碳二亚胺（1-5）的反应中分离出来。环状多硫族化物化合物[CyNC（NMe 2）NCy} 2 Sn Ch x }]（Ch = S，x= 4（11）; 通过将元素硫和硒氧化添加到杂多亚锡配合物[CyNC（NMe ）中，制备具有SnCh x }环的Ch = Se，x = 4（12），和Ch = S，x = 6（13））。2）NCy} 2 Sn]（7）在室温下于THF中。类似地，化合物6和7与等摩尔量的硫属元素转移试剂（分别为SC 3 H 6和Se PEt 3）的反应导致硫属元素化物锡（IV）络合物的形成[RNC（NMe2）NR}
• The insertion of chalcogen atoms into the InIn bond of tetrakis[bis(trimethylsilyl)methyl]diindane(4): monomeric compounds with InSIn, InSeIn, and InTeIn groups
  作者：Werner Uhl、Rene Graupner、Hans Reuter

  DOI：10.1016/0022-328x(96)06392-9

  日期：1996.10

  indium-indium bond of tetrakis[bis(trimethylsilyl)methyl]diindane(4)(1) by the reaction of 1 with the chalcogen atom donors propylene sulphide, triethyl phosphonium selenide or telluride yields homoleptic compounds with up to now unknown R2InSInR2 (2), R2InSeInR2 (3), and R2InTeInR2 (4) groups. All products are monomeric, both in solution and in the solid state, as shown by the cryoscopically

  通过1与硫族原子供体丙烯硫醚，三乙基硒化硒或碲的反应，将硫族元素原子插入四[双（三甲基甲硅烷基）甲基]二茚满（4）（1）的铟-铟键中，得到均聚物到现在未知- [R 2 InSInR 2（2）中，R 2 InSeInR 2（3），并且R 2 InTeInR 2（4）组。如通过冷冻测定的摩尔质量和晶体结构测定所显示的，所有产物在溶液和固态均为单体的。铟-硫族元素-铟桥是弯曲的，并且具有112.4（1）和116.8（2）°（2），109.96（3）°（3）和105.42（2）°（4）的角度。
• Die Insertion von Chalkogenatomen in die Gallium-Gallium-Bindung von Acetat-verbrückten Digallanen
  作者：Werner Uhl、Lars Cuypers、Thomas Spies、Frank Weller、Bernd Harbrecht、Matthias Conrad、Andreas Greiner、Mario Puchner、Joachim H. Wendorff

  DOI：10.1002/zaac.200300443

  日期：2003.7

  of sulfur, selenium and tellurium atoms into the Ga—Ga bond. By the oxidation of the gallium atoms products resulted which have angled Ga—S—Ga- (3), Ga—Se—Ga- (4) and Ga—Te—Ga units (5) in their molecular cores. In all cases, the carboxylato ligands remain in their bridging positions between two gallium atoms. The tellurium compound 5 shows a phase transition in the solid state, which was investigated

  Die Dialkyldigallium(II)-Verbindung R2Ga2(μ-OOCCH3)22 [R = CH(SiMe3)2] enthalt eine kurze Ga-Ga-Einfachbindung，die durch zwei Acetatliganden uberbruckt wird。Durch die chelatartige Koordination der Carboxylato-Gruppen sind die Galliumatome mit einer Koordinationszahl von vier koordinativ gesattigt。Die Umsetzung von 2 mit Chalkogenatom-Donoren wie Propylensulfid, Triethylphosphoniumselenid und -tellurid
• Substitution of bridging S2 ligands in the [Nb2(μ-S2)2]4+ core: a simple route to [Nb2(Se2)2]4+, [Nb2(S)(Te2)]4+ and [Nb2(S)2]4+
  作者：Maxim Sokolov、Hideo Imoto、Taro Saito、Vladimir Fedorov

  DOI：10.1039/a806627b

  日期：——

  Reactions of [Nb2(µ-S2)2(dtc)4] 1 (dtc = diethyldithiocarbamate, S2CNEt2) with chalcogen-transfer reagents PEt3Y (Y = Se or Te) were investigated. With PEt3Se, fully substituted [Nb2(µ-Se2)2(dtc)4] 2 forms if a catalytic amount of free PEt3 is present. However PEt3Te gives [Nb2(S)(Te2)(dtc)4] 3 which has a new core with two different chalcogens acting as bridges. The structures of both 2 and 3 were determined by X-ray analysis [2: Nb–Nb 2.974(2), Se–Se 2.303(2). 3: Nb–Nb 2.920(4), Te–Te 2.648(3) Å]. Electrochemistry of 2 and 3 was studied and a reversible one-electron oxidation was found for 2, giving a blue ESR-active (19-plet, g = 2.0489, A = 52.5 G) species [Nb2(µ-Se2)2(dtc)4]+ at 638 mV vs. NHE. By contrast in the reaction of [Nb2(µ-S2)2(acac)4] 4 (Hacac = acetylacetone) with PEt3Te only the sulfur abstraction product [Nb2(µ-S)2(acac)4] 5 formed, which could be more directly prepared from 4 and PEt3. Crystal structures of 4 and 5 were determined.

  [Nb2(µ-S2)2(dtc)4] 1 (dtc = 二乙基二硫代氨基甲酸酯, S2CNEt2) 与 chalcogen-transfer 试剂 PEt3Y (Y = Se 或 Te) 的反应进行了研究。使用 PEt3Se，如果存在催化量的自由 PEt3，则会形成全取代的 [Nb2(µ-Se2)2(dtc)4] 2。然而，使用 PEt3Te，则生成 [Nb2(S)(Te2)(dtc)4] 3，其具有以两种不同硫属元素作为桥的新型核心结构。2 和 3 的结构通过 X 射线分析确定 [2: Nb–Nb 2.974(2), Se–Se 2.303(2). 3: Nb–Nb 2.920(4), Te–Te 2.648(3) Å]。对 2 和 3 进行了电化学研究，发现 2 可以发生可逆的单电子氧化反应，形成蓝色 ESR 活性 (19-plet, g = 2.0489, A = 52.5 G) 物种 [Nb2(µ-Se2)2(dtc)4]+，相对于 NHE 在 638 mV 处。相反，[Nb2(µ-S2)2(acac)4] 4 (Hacac = 乙酰丙酮) 与 PEt3Te 的反应仅形成了硫提取产物 [Nb2(µ-S)2(acac)4] 5，该产物可以直接通过 4 和 PEt3 制备。4 和 5 的晶体结构被确定。
• Mysteries of TOPSe Revealed: Insights into Quantum Dot Nucleation
  作者：Christopher M. Evans、Meagan E. Evans、Todd D. Krauss

  DOI：10.1021/ja103805s

  日期：2010.8.18

  quantities of secondary phosphines, which are impurities in tertiary phosphines, are entirely responsible for the nucleation of QDs; their low concentrations account for poor synthetic conversion yields. QD yields increase to nearly quantitative levels when replacing TOPSe with a stoiciometric amount of a secondary phosphine chalcogenide such as diphenylphosphine selenide. Based on our observations, we

  我们已经使用光吸收和核磁共振光谱研究了负责 QD 成核的反应机制。对于典型的 II-VI 和 IV-VI 量子点 (QD) 合成，令人惊讶地发现纯叔硒化膦源（例如，三辛基硒化膦（TOPSe））与金属羧酸盐不反应并且不能产生 QD。相反，少量仲膦，即叔膦中的杂质，完全负责 QD 的成核；它们的低浓度导致合成转化率低。当用化学计量量的二级膦硫属化物（例如二苯基膦硒化物）代替 TOPSe 时，QD 产量增加到几乎定量的水平。根据我们的观察，我们提出了潜在的单体身份，