作者:Maria J. Calhorda、Pedro E.M. Lopes、Annette Schier、Rudolf Herrmann
DOI:10.1016/s0022-328x(97)00131-9
日期:1997.9
spectroscopy and cyclic voltammetry. Compared with the corresponding triethoxysilanyl derivatives, the silatranes are much more easily oxidized (ΔE1/2ox up to 0.26V). In order to understand this result, theoretical calculations (extended Hückel (EH) and density functional theory (DFT)) were performed. The geometries of the four complexes were optimized using DFT calculations. The change in the energy of the
制备了含有硅烷基的部分的二茂铁衍生物,并通过NMR光谱和循环伏安法进行了研究。与相应的三乙氧基甲硅烷基衍生物相比,硅杂环丁烷更容易被氧化(ΔE 1/2 ox高达0.26V)。为了理解该结果,进行了理论计算(扩展的Hückel(EH)和密度泛函理论(DFT))。使用DFT计算优化了四个配合物的几何形状。交换Si(OMe)3时HOMO的能量变化对于硅烷基,以及使用半电子方法的过渡态能量,遵循的是氧化电位。该结果可以从硅烷基烃衍生物中HOMO的Si-N抗键合特性合理化,这导致能量增加。在其他物种中不存在这种键。通过晶体结构分析表征了这类化合物的原型,即硅烷基丙基二茂铁。Si-N距离为2.181(2)Å,因此位于硅上芳族取代基的预期范围内。除了Si-N距离外,计算得到的结构与观察到的结构之间的一致性非常好,其中发现了较大的偏差,该偏差反映了气态和固态之间的差异。由于结构和理论上的原因,可以排除铁和硅之间的直接相互作用。