diisopropylaminodisilane

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: diisopropylaminodisilane
• 英文别名: DIPADS；DPDS；Di-iso-propylaminodisilane；N-(disilanyl)-N-propan-2-ylpropan-2-amine
• 化学式: C₆H₁₉NSi₂
• 分子量: 161.395
• InChiKey: GNZBDLMUHMACNZ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.53
• 重原子数：
  9
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  3.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  diisopropylaminodisilane 在 三(五氟苯基)硼烷 、 二异丙胺 、 均三甲苯 作用下， 反应 1.0h， 以10%的产率得到bis-diisopropylamino-disilane
  参考文献：
  名称：

  [EN] MONOAMINOSILANE COMPOUNDS
  [FR] COMPOSÉS MONOAMINOSILANE

  摘要：

  揭示的是一种化合物，其化学式为（I）：（R1 R2N）SinH2n+1（I），其中下标n是从3到9的整数；每个R1和R2独立地是（C1-C6）烷基，（C3-C6）环烷基，（C2-C6）烯基，（C2-C6）炔基或苯基；或者R1是H，R2是（C1-C6）烷基，（C3-C6）环烷基，（C2-C6）烯基，（C2-C6）炔基或苯基；或者R1和R2结合在一起形成-R1a_R2a_，其中-R1a-R2a-是（C2-C5）烷基。还公开了一种制备方法，其中有用的中间体，使用方法以及包含化合物（I）的组合物。

  公开号：

  WO2015184201A1
• 作为产物：
  描述：

  二异丙胺 在 氯二硅烷 作用下， 以 正己烷 为溶剂， 反应 2.0h， 生成 diisopropylaminodisilane
  参考文献：
  名称：

  TW2017/13671

  摘要：

  公开号：
• 作为试剂：
  描述：

  叔丁基硫醇 在 diisopropylaminodisilane 作用下， 反应 2.0h， 生成 (1,1-dimethylethylthio)disilane
  参考文献：
  名称：

  THIO(DI)SILANES

  摘要：

  含有化学式(A)的硫代硅烷类化合物：（R1aR1bR1cCS）s(Si)XxHh（A），其中下标s为2至4，或者含有化学式(I)的硫代硅烷类化合物：（R1aR1bR1cCS）s(R22N)(Si—Si)XxHh（I），其中下标s为1至6，其中R1a、R1b、R1c、R2、X和下标n、x和h在此定义。还包括含有相同成分的组合物，制备和使用方法，合成中有用的中间体，以及由此制备的薄膜和材料。

  公开号：

  US20200024291A1

文献信息

• [EN] PROCESS OF SYNTHESIZING DIISOPROPYLAMINW-DISILANES<br/>[FR] PROCÉDÉ DE SYNTHÈSE DE DIISOPROPYLAMINO-DISILANES
  申请人：DOW CORNING

  公开号：WO2015184214A1

  公开（公告）日：2015-12-03

  Chemical processes comprise selectively synthesizing diisopropylamino-disilanes and reduction of chloride in aminosilanes, and the compositions comprise the diisopropylamino- disilanes and at least one reaction by-product prepared thereby. The diisopropylamino- disilanes are diisopropylamino-pentachlorodisilane and diisopropylamino-disilane.

  化学过程包括选择性合成二异丙胺基二硅烷和氨基硅烷中氯化物的还原，组合物包括二异丙胺基二硅烷和至少一种由此制备的反应副产物。二异丙胺基二硅烷是二异丙胺基五氯二硅烷和二异丙胺基二硅烷。
• Organoaminodisilane Precursors and Methods for Depositing Films Comprising Same
  申请人：AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

  公开号：US20150024608A1

  公开（公告）日：2015-01-22

  Described herein are precursors and methods for forming silicon-containing films. In one aspect, there is provided a precursor of Formula I: wherein R 1 is selected from linear or branched C 3 to C 10 alkyl group, linear or branched C 3 to C 10 alkenyl group, linear or branched C 3 to C 10 alkynyl group, C 1 to C 6 dialkylamino group, electron withdrawing group, and C 6 to C 10 aryl group; R 2 is selected from hydrogen, linear or branched C 1 to C 10 alkyl group, linear or branched C 3 to C 6 alkenyl group, linear or branched C 3 to C 6 alkynyl group, C 1 to C 6 dialkylamino group, C 6 to C 10 aryl group, linear or branched C 1 to C 6 fluorinated alkyl group, electron withdrawing group, and C 4 to C 10 aryl group; optionally wherein R 1 and R 2 are linked together to form ring selected from substituted or unsubstituted aromatic ring or substituted or unsubstituted aliphatic ring; and n=1 or 2.

  本文描述了形成含硅薄膜的前体和方法。在其中一个方面，提供了式I的前体：其中，R1选自线性或支链的C3到C10烷基，线性或支链的C3到C10烯基，线性或支链的C3到C10炔基，C1到C6二烷基氨基，电子提取基团和C6到C10芳基；R2选自氢，线性或支链的C1到C10烷基，线性或支链的C3到C6烯基，线性或支链的C3到C6炔基，C1到C6二烷基氨基，C6到C10芳基，线性或支链的C1到C6氟代烷基，电子提取基团和C4到C10芳基；可选地，其中R1和R2连接在一起形成取代或未取代的芳香环或取代或未取代的脂环；n=1或2。
• ORGANOAMINODISILANE PRECURSORS AND METHODS FOR DEPOSITING FILMS COMPRISING SAME
  申请人：AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

  公开号：US20130323435A1

  公开（公告）日：2013-12-05

  Described herein are precursors and methods for forming silicon-containing films. In one aspect, there is provided a precursor of Formula I: wherein R 1 is selected from linear or branched C 3 to C 10 alkyl group, linear or branched C 3 to C 10 alkenyl group, linear or branched C 3 to C 10 alkynyl group, C 1 to C 6 dialkylamino group, electron withdrawing group, and C 6 to C 10 aryl group; R 2 is selected from hydrogen, linear or branched C 1 to C 10 alkyl group, linear or branched C 3 to C 6 alkenyl group, linear or branched C 3 to C 6 alkynyl group, C 1 to C 6 dialkylamino group, C 6 to C 10 aryl group, linear or branched C 1 to C 6 fluorinated alkyl group, electron withdrawing group, and C 4 to C 10 aryl group; optionally wherein R 1 and R 2 are linked together to form ring selected from substituted or unsubstituted aromatic ring or substituted or unsubstituted aliphatic ring; and n=1 or 2.

  本文介绍了用于形成含硅薄膜的前体和方法。在一个方面，提供了式I的前体：其中R1选自线性或支链的C3到C10烷基，线性或支链的C3到C10烯基，线性或支链的C3到C10炔基，C1到C6二烷基胺基，电子吸引基团和C6到C10芳基；R2选自氢，线性或支链的C1到C10烷基，线性或支链的C3到C6烯基，线性或支链的C3到C6炔基，C1到C6二烷基胺基，C6到C10芳基，线性或支链的C1到C6氟代烷基，电子吸引基团和C4到C10芳基；可选地，其中R1和R2连接在一起形成选自取代或未取代的芳香环或取代或未取代的脂环的环；n = 1或2。
• METHODS FOR DEPOSITING FILMS WITH ORGANOAMINODISILANE PRECURSORS
  申请人：AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

  公开号：US20160203975A1

  公开（公告）日：2016-07-14

  Described herein are precursors and methods for forming silicon-containing films. In one aspect, there is provided a precursor of Formula I: wherein R 1 is selected from linear or branched C 3 to C 10 alkyl group, linear or branched C 3 to C 10 alkenyl group, linear or branched C 3 to C 10 alkynyl group, C 1 to C 6 dialkylamino group, electron withdrawing group, and C 6 to C 10 aryl group; R 2 is selected from hydrogen, linear or branched C 1 to C 10 alkyl group, linear or branched C 3 to C 6 alkenyl group, linear or branched C 3 to C 6 alkynyl group, C 1 to C 6 dialkylamino group, C 6 to C 10 aryl group, linear or branched C 1 to C 6 fluorinated alkyl group, electron withdrawing group, and C 4 to C 10 aryl group; optionally wherein R 1 and R 2 are linked together to form ring selected from substituted or unsubstituted aromatic ring or substituted or unsubstituted aliphatic ring; and n=1 or 2.

  本文描述了形成含硅薄膜的前体和方法。在一个方面，提供了式I的前体：其中R1选自线性或支链C3到C10烷基，线性或支链C3到C10烯基，线性或支链C3到C10炔基，C1到C6二烷基氨基，电子吸引基团和C6到C10芳基；R2选自氢，线性或支链C1到C10烷基，线性或支链C3到C6烯基，线性或支链C3到C6炔基，C1到C6二烷基氨基，C6到C10芳基，线性或支链C1到C6氟代烷基，电子吸引基团和C4到C10芳基；可选地，R1和R2通过形成取代或未取代芳环或取代或未取代脂环的环结合在一起；n=1或2。
• Methods for depositing films with organoaminodisilane precursors
  申请人：AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

  公开号：US09337018B2

  公开（公告）日：2016-05-10

  A method for forming a silicon-containing film on at least one surface of a substrate by a deposition process selected from a chemical vapor deposition process and an atomic layer deposition process, the method comprising: providing the at least one surface of the substrate in a reaction chamber; introducing at least one organoaminodisilane precursor comprising a Si—N bond, a Si—Si bond, and a Si—H3 group represented by the following Formula I below: wherein R1 and R2 are defined herein; and introducing a nitrogen-containing source into the reactor wherein the at least one organoaminodisilane precursor and the nitrogen-containing source react to form the film on the at least one surface.

  一种在基板至少一个表面上形成含硅薄膜的方法，该方法通过选择化学气相沉积过程和原子层沉积过程中的一种沉积过程来实现，包括以下步骤：将基板的至少一个表面放置于反应室中；将至少一种含有Si-N键、Si-Si键和Si-H3基的有机氨基二硅烷前体引入反应室，所述Si-H3基由以下式I表示：其中R1和R2在此定义；并将含氮源引入反应器中，其中所述至少一种有机氨基二硅烷前体和含氮源反应，形成所述至少一个表面上的薄膜。