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六氟乙硅烷 | 13830-68-7

中文名称
六氟乙硅烷
中文别名
——
英文名称
disilicon hexafluoride
英文别名
hexafluorodisilane;trifluoro(trifluorosilyl)silane
六氟乙硅烷化学式
CAS
13830-68-7
化学式
F6Si2
mdl
——
分子量
170.161
InChiKey
SDNBGJALFMSQER-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 熔点:
    -18.5°C sub.
  • 沸点:
    -19.1 °C
  • 密度:
    1.282±0.06 g/cm3(Predicted)
  • 溶解度:
    与H2O反应

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    1.76
  • 重原子数:
    8
  • 可旋转键数:
    0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    6

SDS

SDS:641bab30d19ef1d69a649262596dc1ae
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上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    六氟乙硅烷 以 neat (no solvent) 为溶剂, 生成 silicon tetrafluoride, Si-30
    参考文献:
    名称:
    使用同位素富集硅膜进行局部中子嬗变掺杂
    摘要:
    摘要 通过对由 30 Si 富集材料制成的纳米结构进行热中子辐照,由于 30 Si→ 31 P 的核嬗变(局域中子嬗变掺杂,NTD),纳米区域可以选择性地均匀地掺杂 31 P。为了证明局部NTD的能力,在p-Si(1 0 0)上制备了30 Si富集的硅膜并用热中子辐照。在照射时,薄膜被 n 掺杂,而衬底保持 p 型,导致在薄膜 - 衬底界面形成 ap-n 结,显示出整流。这表明 NTD 应用于纳米级半导体器件的可能性很大。
    DOI:
    10.1016/j.jpcs.2007.08.056
  • 作为产物:
    描述:
    六氯乙硅烷三氟化锑 以 neat (no solvent) 为溶剂, 生成 六氟乙硅烷
    参考文献:
    名称:
    碘存在下六氟乙硅烷气相热解的动力学和机理以及二氟化硅的一些反应
    摘要:
    Si的气相热分解2 ˚F 6中的我的存在2已发现遵循一级动力学与的SiF的形成4,的SiF 2我2和SIF 3 I.反应似乎是均匀的,一致的其机理为:Si 2 F 6 →SiF 2 + SiF 4(慢)(1),SiF 2 + I 2 →SiF 2 I 2(快速)。(2)SiF 3我是次要产品,其形成机理尚不确定。在603–652 K温度范围内的速率测量符合Arrhenius方程:log(k 1 / s –1)=(12.41±0.24)–(193.5±2.9 kJ mol –1)/ R T ln 10。在630 K下,发现SiF 2与I 2的反应比与O 2的反应快3.6倍,比HI快17倍。SiF 2与I 2的反应也比与HBr或苯的反应至少快10 2倍,比SiF 4的反应快10 4倍以上。缺少I原子位移过程是一致d(F 3的Si-的SiF 3)337千焦耳摩尔-1,这导致值Δ ħ ⊖ ˚F(SI
    DOI:
    10.1039/f29868200837
  • 作为试剂:
    参考文献:
    名称:
    Thompson,J.C.; Wright,A.P.G., Canadian Journal of Chemistry, 1979, vol. 57, p. 994 - 998
    摘要:
    DOI:
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文献信息

  • Synthesis of trifluorosilyl organometallic complexes from trifluorosilyl radicals and metal atoms
    作者:T. R. Bierschenk、M. A. Guerra、T. J. Juhlke、S. B. Larson、R. J. Lagow
    DOI:10.1021/ja00250a017
    日期:1987.8
    Synthese de (SiF 3 ) 2 Te, (SiF 3 ) 3 Bi, (SiF 3 ) 3 Sb, (SiF 3 ) 2 Hg. On a pu preparer des complexes de Ni, Pa et Cd
    合成 de (SiF 3 ) 2 Te, (SiF 3 ) 3 Bi, (SiF 3 ) 3 Sb, (SiF 3 ) 2 Hg。On a pu preparer des complexes de Ni, Pa et Cd
  • Preparation of Hexafluorodisilane and Reactions of Hexafluorodisilane and Hexachlorodisilane with Sulfur Trioxide
    作者:Bettadapura Srinivasaiah Suresh、Doddaballapur Krishnamurthy Padma
    DOI:10.1246/bcsj.58.1867
    日期:1985.6
    infrared spectral data, vapour density measurements and analytical data. Both hexafluorodisilane and hexachlorodisilane are found to react with sulfur trioxide when heated to 400°C for 12 h. The products of reaction are silicon tetrafluoride, silica and sulfur dioxide with hexafluorodisilane while hexachlorodisilane in addition gives rise to hexachlorodisiloxane.
    六氟乙硅烷是通过氟化钾在沸腾的乙腈中氟化六氯乙硅烷或六溴乙硅烷制备的,产率分别接近 45% 和 60%。六氟乙硅烷的特征在于红外光谱数据、蒸汽密度测量和分析数据。当加热到 400°C 12 小时时,发现六氟乙硅烷和六氯乙硅烷都与三氧化硫反应。与六氟乙硅烷反应的产物是四氟化硅、二氧化硅和二氧化硫,而六氯乙硅烷还生成六氯二硅氧烷。
  • Reaction of silicon difluoride with halogens: a reinvestigation
    作者:Bettadapura S. Suresh、James Charlton Thompson
    DOI:10.1039/dt9870001123
    日期:——
    Reactions of SiF2 with halogens have been reinvestigated by both co-condensation and gas-phase methods. The co-condensation method yields a number of fluorohalogenosilanes including mono-, di-, and higher silane derivatives. These compounds contain SiF, SiF2, and SiF3 units. The reactivity towards SiF2 decreases from chlorine through bromine to iodine. While chlorine and bromine give rise to a number
    SiF 2与卤素的反应已通过共缩合和气相方法进行了重新研究。该共缩合方法产生许多氟代卤代硅烷,包括单,二和高级硅烷衍生物。这些化合物包含SiF,SiF 2和SiF 3单元。对SiF 2的反应性从氯到溴再到碘。尽管氯和溴会生成许多氟代卤代硅烷,但碘只能生成甲硅烷衍生物。相反,气相反应没有进行到任何明显的程度。产品已通过质谱和19 F和29进行了表征Si nmr光谱。许多是第一次被发现。
  • Synthesis of new cadmium alkyls by cocodensation of cadmium vapour with trifluorosilyl and trifluoromethyl radicals
    作者:M. A. Guerra、T. R. Bierschenk、R. J. Lagow
    DOI:10.1039/c39850001550
    日期:——
    The very reactive new compounds (Cd)(SiF3)2 and Cd(CF3)2 have been prepared by cocondensation of cadmium vapour with triflurosilyl and triflucromethyl radicals, 19F n.m.r. spectroscopy showing that Cd(SiF3)2 slowly decomposes at room temperature while Cd(CF3)2 decomposes at +5 °C; the addition of glyme (1,2-dimethoxyethane) at low temperature allowed Cd(SiF3)2· glyme and Cd(CF3)2· glyme to be isolated
    极易反应的新化合物(Cd)(SiF 3)2和Cd(CF 3)2是通过镉蒸气与三氟硅烷基和三氟甲基的共缩合反应制备的。19 F nmr光谱表明Cd(SiF 3)2在室温下缓慢分解。 Cd(CF 3)2在+5°C分解时的温度;在低温下添加甘醇二甲醚(1,2-二甲氧基乙烷)可以在室温下分离出Cd(SiF 3)2 ·甘醇二甲醚和Cd(CF 3)2 ·甘醇二甲醚。
  • Formation of SiF2 in the infrared multiphoton decomposition of Si2F6 and the reactions of SiF2 with Br2, NO2 and C2H4
    作者:Ko-ichi Sugawara、Fumiyuki Ito、Taisuke Nakanaga、Harutoshi Takeo
    DOI:10.1016/0009-2614(94)01384-8
    日期:1995.1
    The infrared multiphoton decomposition of Si2F6 has been investigated by time-resolved infrared diode laser spectroscopy. Direct formation of SiF2 (X̃1A1) in the ground vibrational state and indirect formation via vibrational relaxation were found. Simultaneous formation of SiF4 with SiF2 was also observed, indicating that a 1,2-fluorine shift occures in preference to SiSi bond scission. The vibrational
    通过时间分辨红外二极管激光光谱研究了Si 2 F 6的红外多光子分解。发现在基态振动状态下会直接形成SiF 2(X̃ 1 A 1),而在振动状态下会间接形成SiF 2(X̃ 1 A 1)。还观察到SiF 4与SiF 2同时形成,表明发生优先于Si 3 Si键断裂的1,2-氟移位。发现SiF 2在H 2中的振动弛豫比在N 2中快约二十倍。由于共振振动-旋转能量传递。确定SiF 2与Br 2,NO 2和C 2 H 4的反应速率常数为(7.6±1.0)×10 -13,(5.8±0.9)×10 -13和<1×10 -15 cm在室温下分别为3个分子-1 s -1。
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