碲化镓 | 12024-14-5

• 物质功能分类: 无机化工 - 无机盐 - 硫族化合物
• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 类金属盐
• 中文名称: 碲化镓
• 中文别名: 碲化镓(II)
• 英文名称: Gallium(II)telluride
• 英文别名: gallium;tellurium
• CAS: 12024-14-5
• 化学式: GaTe
• 分子量: 197.3
• InChiKey: OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  824°C
• 密度：
  5.440
• 暴露限值：
  ACGIH: TWA 0.1 mg/m3NIOSH: IDLH 25 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3
• 稳定性/保质期：
  在常温常压下稳定，应避免光、明火及高温环境。随着温度的下降，GaTe的光电导最大值会向短波方向移动。

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.76
• 重原子数：
  2
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

安全信息

• TSCA：
  Yes
• 危险品标志：
  Xn
• 安全说明：
  S22,S24/25
• 危险类别码：
  R36/37/38,R22

制备方法与用途

简介

碲化镓（GaTe）中阳离子空位对晶体管性能的影响机制，并通过抑制这种作用获得了一种高性能的光电晶体管器件。GaTe是一种重要的III-VI族半导体层状化合物材料，直接带隙约1.7 eV，在光电子器件、辐射探测器及太阳能电池领域具有广泛的应用研究价值。然而由于其复杂的单斜晶体结构和高度各向异性，使得样品制备及器件加工较为困难。目前关于GaTe纳米片的光电性能研究较少。

制备

一种二维碲化镓材料的制备方法如下：首先采用垂直布里奇曼晶体生长法，将Ga:Te按物质的量比1:1进行配料，制备GaTe单晶体；接着，在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内，选取大块表面光滑无褶皱的GaTe体材料，并沿自然解理面将其分离为多块。随后，同样在Ar气氛下，使用思高胶带从表层光亮、损伤较小的GaTe块体材料表面撕离一块厚度约为6-8 μm的GaTe薄片；最后，在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内，将带有GaTe薄片的思高胶带多次粘合分离，直至胶带表面不再光亮，成功附着较为密集的数百纳米厚度的GaTe片层。