在常温常压下,稳定存在。半导体化合物In2Te3拥有缺陷的ZnS晶格结构,其中非金属原子被四个金属原子以四面体方式排列,并且存在一个空缺位置。此外,In2Te3还具有多种多晶型晶体形态。其标准生成焓为(-210.4±8) kJ/mol。
生产方法 通过X射线衍射研究指出,有六种二元化合物:In4Te3、InTe、In3Te4、In2Te3、In3Te5和In2Te5。在密闭的真空管中,按正确比例熔化组成元素即可制得这些化合物。