三(二甲氨基)砷 | 6596-96-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 中文名称: 三(二甲氨基)砷
• 英文名称: tri(dimethylamino)arsenic
• 英文别名: tris-dimethylaminoarsine；Tris(dimethylamino)arsine；N-[bis(dimethylamino)arsanyl]-N-methylmethanamine
• CAS: 6596-96-9
• 化学式: C₆H₁₈AsN₃
• 分子量: 207.151
• InChiKey: QSLGKGJRFUIAEG-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  -53°C
• 沸点：
  55°C 10mm
• 密度：
  1,124 g/cm3

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.11
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  9.7
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

安全信息

• TSCA：
  No
• 危险品运输编号：
  UN 3280
• 海关编码：
  2931900090

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  三(二甲氨基)砷 在 二氧化硫 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 生成 N,N,N',N'-tetramethylsulfurous acid diamine
  参考文献：
  名称：

  V族金属酰胺与二氧化硫的反应

  摘要：

  三(二烷基氨基)-胂(I)、-锑(II)和-铋(III)与二氧化硫反应生成相应的四烷基亚硫二酰胺和相应的金属氧化物或含有这些金属的聚合物。鉴于初始反应的牢度，这些金属酰胺的反应性遵循 III>II>I 的顺序，然而，产率以 I>II>III 的顺序降低。另一方面，三（二烷基氨基）膦以 2:1 的比例生成六烷基磷酰三酰胺和六烷基硫代磷酰三酰胺。各种磷化合物对二氧化硫的反应性随着磷原子亲核性的增加而增加；P(NEt2)3>Ph2PNEt2>Ph2POEt>PhP(OEt)2>P(OEt)3。化合物(I)、(II)的反应机理，

  DOI：

  10.1246/bcsj.51.1481
• 作为产物：
  描述：

  二甲胺 在 正丁基锂 、 三氯化砷 作用下， 生成 三(二甲氨基)砷
  参考文献：
  名称：

  环戊二烯基-典型化合物的合成与合成（C 6 H 5）3- n P（NR 2）n（n = 0-3; R = CH 3，C 2 H 5

  摘要：

  复杂阳离子[C 5 H 5 Fe（CO）2 L] BF 4（L =（C 6 H 5）3- n P（NR 2）n ; n = 0-3 R = CH 3，C 2 H 5）是由[C 5 H 5 Fe（CO）2 THF] BF 4（I）与L的反应获得的。I与E（NR 2）3（E = As，Sb; R = CH 3）也进行了说明。光谱学检查（IR，1 H，13C和31 P NMR）表示通过增加P键结合的NR 2基团的数量，铁中心的电子密度增加。

  DOI：

  10.1016/0022-328x(86)82012-5
• 作为试剂：
  描述：

  1,2-二甲基肼 在 三(二甲氨基)砷 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 生成 Diarsen-tris-(1.2-dimethylhydrazid)
  参考文献：
  名称：

  Noeth,H.; Regnet,W., Zeitschrift fur Naturforschung. Teil B. Anorganische Chemie, organische Chemie, Biochemie, Biophysik, Biologie, 1965, vol. 20, p. 604 - 605

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Aminoarsines: their use in the synthesis of organoarsenic heterocycles
  作者：R. H. Anderson、R. H. Cragg

  DOI：10.1039/c2970000425a

  日期：——

  Aminoarsines have been found to have a wide application in the preparation of organoarsenic heterocycles in high yields at ambient temperatures.

  已发现氨基ar在环境温度下以高收率在有机砷杂环的制备中具有广泛的应用。
• Highly Regioselective Synthesis of 1,3,5-Trisubstituted 1,2,4-Triazole Derivatives
  作者：David Ellis、Aurelio Arias-Wood

  DOI：10.1080/00397911.2010.525678

  日期：2011.5.3

  Abstract The synthesis of 1,3,5-trisubstituted-1,2,4-triazoles is described. The key reaction is the thermal cyclization of an amidrazone intermediate with the aminal of an aromatic aldehyde. The method allows a variety of functionalities to be incorporated to add diversity to the initial templates.

  摘要 描述了 1,3,5-三取代-1,2,4-三唑的合成。关键反应是脒腙中间体与芳香醛的缩醛胺的热环化。该方法允许结合各种功能以增加初始模板的多样性。
• Insertion of Ketene and Diphenylketene to the Pnictogen-Heteroatom Bonds
  作者：Fumio Ando、Yoshihiko Kohmura、Jugo Koketsu

  DOI：10.1246/bcsj.60.1564

  日期：1987.4

  Ketene and diphenylketene insert across the heteroatom-metal bond of amino-, alkoxy-, and alkylthiopnictogens, R3−nMXn, to give the corresponding α-metallated acetamides, esters, and thioesters, R3−nM(CH2COX)n and R3−nM(CPh2COX)n (M=As, Sb, Bi; X=NR2, OR, SR; n=1,3), respectively.

  乙烯酮和二苯乙烯酮会插入氨基、烷氧基和烷硫基类化合物的杂原子-金属键中，生成相应的α-金属化乙酰胺、酯和硫酯，即R3−nM(CH2COX)n和R3−nM(CPh2COX)n（其中M=As、Sb、Bi；X=NR2、OR、SR；n=1,3）。
• Atomic layer epitaxy of GaMnAs on GaAs(001)
  作者：M. Ozeki、T. Haraguchi、A. Fujita

  DOI：10.1002/pssa.200674101

  日期：2007.4

  A self-limiting mechanism in atomic layer epitaxy (ALE) has been investigated for the heterogrowth of GaMnAs on GaAs(001) substrate. In the ALE, trimethylgallium, bismethylcyclopentadienylmanganese and trisdimethylaminoarsine were used as source materials of gallium, manganese and arsenic atoms, respectively. Although the growth of GaMnAs was carried out at a high growth temperature of 500 °C, a distinct

  已经研究了原子层外延 (ALE) 中 GaMnAs 在 GaAs(001) 衬底上异质生长的自限机制。在ALE中，三甲基镓、双甲基环戊二烯基锰和三甲基氨基胂分别用作镓、锰和砷原子的源材料。尽管 GaMnAs 的生长是在 500 °C 的高生长温度下进行的，但对于高达 6% 的锰合金成分，观察到了明显的自限机制，并且外延层没有包含 MnAs 相的迹象。该层显示出反映自限生长的原子级平坦表面形态。自限机制很大程度上受GaMnAs外延层和GaAs衬底之间的晶格失配的影响。当锰合金成分超过7%时，
• Growth of GaAs and AlGaAs by metalorganic molecular beam epitaxy using tris‐dimethylaminoarsenic
  作者：C. R. Abernathy、P. W. Wisk、D. A. Bohling、G. T. Muhr

  DOI：10.1063/1.106992

  日期：1992.5.11

  safer alternatives for III–V epitaxy are highly desirable. In addition, the AsH3 molecule is too stable to decompose on the wafer surface at the temperature and pressure conditions normally used during growth by metalorganic molecular beam epitaxy (MOMBE). This requires the use of high‐temperature cracker cells to decompose the AsH3 to elemental As prior to entry to the growth chamber and as a result leads

  由于 AsH3 的极端毒性，非常需要更安全的 III-V 外延替代品。此外，在金属有机分子束外延 (MOMBE) 生长过程中通常使用的温度和压力条件下，AsH3 分子太稳定，无法在晶片表面分解。这需要使用高温裂解槽在进入生长室之前将 AsH3 分解为元素砷，结果导致生长室内出现大量砷堆积。在这封信中，我们首次报道了使用新型 As 前体三二甲氨基砷 (DMAAs) 在低温 (≤525 °C) 下生长的 MOMBE，而无需预裂。对于 GaAs 和 AlGaAs，在 375-525 °C 的广泛生长温度范围内获得了镜面表面形态。