[Ga22{N(SiMe3)2}10]2−: A Metalloid Cluster Compound with a Variation of the Ga22 Framework This work was supported by the Deutsche Forschungsgemeinschaft and the Fonds der Chemische Industrie.
作者:Andreas Schnepf、Gregor Stößer、Hansgeorg Schnöckel
DOI:10.1002/1521-3773(20020603)41:11<1882::aid-anie1882>3.0.co;2-n
日期:2002.6.3
and structure of [Ga22N(SiMe3)2}10] [Li4Br2 ¥ 10 THF]2 , a compound containing the [Ga22R10] cluster 2, in which the average oxidation state of the Ga atoms corresponds to that found in 1: 0.36. Thus, the existence of two completely different Ga22 frameworks in the clusters of type 1 and 2 is even more astounding. For the preparation of 2-[Li4Br2 ¥ 10 THF]2 a GaBr solution[3, 10] in toluene/THF at
近年来,亚价铝和镓化合物的化学反应迅速,呈现出多种 Al 或 Ga 骨架。[1±4] 在很短的时间内,两个 Al22 簇[5, 6] 和三个 Ga22 簇[ 7±9]是通过不同的合成方法制备的。在 Al22 簇中,二十面体 Al12 框架以独特的方式通过 Al Al 键与十个 AlX2 单元(X Cl、Br)结合,并且 Al12 二十面体的尖端被供体分子(例如 THF)饱和。相比之下,所有 Ga22 簇都具有 14 个 TMnaked∫ Ga 原子的框架,其中中心 Ga 原子被 13 个 Ga 原子以改进的立方八面体形式包围。直接与配体 R 结合的八个外部 Ga 原子位于改性立方八面体的八个方形面上方。这个中性 [Ga22R8] 簇 1 的稳定性归因于,一方面,Ga8 22 离子(58 个电子)中的 Jellium 态[7],另一方面,Ga 原子的排列类似于 Ga-III 的高压改性[9]。在此我们描述了