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3-(tetrahydropyranyloxycarbonyl)-1-vinyl-2-caprolactam

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
3-(tetrahydropyranyloxycarbonyl)-1-vinyl-2-caprolactam
英文别名
Oxan-2-yl 6-oxo-2-prop-2-enylpiperidine-3-carboxylate
3-(tetrahydropyranyloxycarbonyl)-1-vinyl-2-caprolactam化学式
CAS
——
化学式
C14H21NO4
mdl
——
分子量
267.325
InChiKey
RTUMKMUDFSCPAN-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    1.5
  • 重原子数:
    19
  • 可旋转键数:
    5
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.71
  • 拓扑面积:
    64.6
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    4

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    N-乙烯基己内酰胺 生成 3-(tetrahydropyranyloxycarbonyl)-1-vinyl-2-caprolactam 、 3-(Tetrahydropyranyloxycarbonyl)-l-vinyl-2-caprolactam
    参考文献:
    名称:
    N-vinyllactam derivatives and polymer thereof
    摘要:
    提供并代表以下公式(I)中3位保护的N-乙烯基内酰胺衍生物。这些被聚合成同聚物和共聚物,用于半导体制造的微光刻。这些聚合物用作适合深紫外工艺的光致抗蚀剂材料,因此可以获得高灵敏度和高分辨率的图像。此外,通过使用发明的光致抗蚀剂,可以形成超细电路,并且可以在图案形成方面实现非凡的改进。
    公开号:
    US05750680A1
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文献信息

  • US5750680A
    申请人:——
    公开号:US5750680A
    公开(公告)日:1998-05-12
  • US5955606A
    申请人:——
    公开号:US5955606A
    公开(公告)日:1999-09-21
  • US6051678A
    申请人:——
    公开号:US6051678A
    公开(公告)日:2000-04-18
  • US6262222B1
    申请人:——
    公开号:US6262222B1
    公开(公告)日:2001-07-17
  • N-vinyllactam derivatives and polymer thereof
    申请人:Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
    公开号:US05750680A1
    公开(公告)日:1998-05-12
    N-vinyllactam derivatives protected at the 3-position are provided and represented by the following formula (I). These are polymerized into homo- and copolymers for use in microlithography of semiconductor manufacture. The polymers are used as a photoresist material suitable for a deep UV process so that pictures of high sensitivity and high resolution can be obtained. In addition, ultrafine circuits can be formed and an exceptional improvement in pattern formation can be accomplished through the use of the photoresist of the invention. ##STR1##
    提供并代表以下公式(I)中3位保护的N-乙烯基内酰胺衍生物。这些被聚合成同聚物和共聚物,用于半导体制造的微光刻。这些聚合物用作适合深紫外工艺的光致抗蚀剂材料,因此可以获得高灵敏度和高分辨率的图像。此外,通过使用发明的光致抗蚀剂,可以形成超细电路,并且可以在图案形成方面实现非凡的改进。
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