tetrakis(2,2-dimethylhydrazino)silane

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: tetrakis(2,2-dimethylhydrazino)silane
• 英文别名: Si(NHNMe2)4；tetrakis(1,1-dimethylhydrazino)silane；Si(HNNMe2)4；1,1-Dimethyl-2-tris(2,2-dimethylhydrazinyl)silylhydrazine
• 化学式: C₈H₂₈N₈Si
• 分子量: 264.449
• InChiKey: NYWBESNKHBNIFS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.31
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  61.1
• 氢给体数：
  4
• 氢受体数：
  8

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  偏二甲肼 在 四氯化硅 、 三乙胺 作用下， 以 hexanes 为溶剂， 以65%的产率得到tetrakis(2,2-dimethylhydrazino)silane
  参考文献：
  名称：

  Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same

  摘要：

  这项发明涉及用于通过低温（例如，<550°C）化学气相沉积工艺形成含硅膜的硅前体组合物，用于制造超大规模集成电路器件和器件结构。这种硅前体组合物至少包括一种取代了至少一个烷基肼官能团且不含卤素取代物的硅烷或二硅烷衍生物。

  公开号：

  US20050080285A1

文献信息

• Syntheses and structures of (N′,N′-dimethylhydrazido)silanes
  作者：Ingo Gronde、Beate Neumann、Alexander Willner、Tania Pape、Norbert W. Mitzel

  DOI：10.1039/b900293f

  日期：——

  The hydrazidosilanes Ph2Si(NHNMe2)2 (1), Me2Si(NHNMe2)2 (2), PhSi(NHNMe2)3 (3), MeSi(NHNMe2)3 (4), PhClSi(NHNMe2)2 (5), MeClSi(NHNMe2)2 (6), Me2ClSi(NHNMe2) (7), MeClHSi(NHNMe2) (8), MeHSi(NHNMe2)2 (9), Me2HSi(NHNMe2) (10), Me2NN[HSi(NHNMe2)2]2 (11) and Si(NHNMe2)4 (12) have been prepared by the reaction of the corresponding chlorosilanes with N,N-dimethylhydrazine. Some of the compounds containing Si–Cl and N–H functions simultaneously (6, 7, 8) are very reactive and tend to polymerise and could only be characterised by spectroscopic methods (1H, 13C, 29Si NMR, IR, MS). All other compounds could additionally be characterised by elemental analyses. The structures of 1, 2, 5, 9, 11 and 12 in the solid state were determined by X-ray diffraction. These include the first structural determinations of compounds containing SiH–NH–N (9, 11) and SiCl–NH–N (5) units.

  叠氮硅烷Ph2Si(NHNMe2)2(1)、Me2Si(NHNMe2)2(2)、PhSi(NHNMe2)3(3)、MeSi(NHNMe2)3(4)、PhClSi(NHNMe2)2(5)、MeClSi(NHNMe2)2(6)、Me2ClSi(NHNMe2)(7)、MeClHSi(NHNMe2)(8)、MeHSi(NHNMe2)2(9)、Me2HSi(NHNMe2)(10)、Me2NN[HSi(NHNMe2)2]2(11)和Si(NHNMe2)4(12)通过相应的氯硅烷与N,N-二甲基肼反应制备得到。一些同时含有Si-Cl和N-H官能团的化合物(6,7,8)反应性很高，倾向于聚合，只能通过光谱学方法(1H、13C、29Si NMR、IR、MS)进行表征。所有其他化合物还可以通过元素分析进行表征。1、2、5、9、11和12的固态结构通过X射线衍射确定。这些包括首次含有SiH-NH-N(9,11)和SiCl-NH-N(5)单元的化合物的结构确定。
• Precursors for depositing silicon containing films
  申请人：Xiao Manchao

  公开号：US20070004931A1

  公开（公告）日：2007-01-04

  A precursor composition is disclosed for use in the chemical vapor deposition of a material selected from the group consisiting of silicon oxynitride, silicon nitride, and silicon oxide. The composition comprises a hydrazinosilane of the formula: [R 1 2 N—NH] n Si(R 2 ) 4-n where each R 1 is independently selected from alkyl groups of C 1 to C 6 ; each R 2 is independently selected from the group consisting of hydrogen, alkyl, vinyl, allyl, and phenyl; and n=1-4.

  揭示了一种用于化学气相沉积的前体组合物，所述化学气相沉积用于从硅氧氮化物、氮化硅和氧化硅组成的组中选择材料。该组合物包括具有以下结构的叠氮硅烷： [R1 2 N—NH]nSi(R2)4-n 其中每个R1独立地选择自C1至C6的烷基基团；每个R2独立地选择自氢、烷基、乙烯基、烯丙基和苯基组成的组；n=1-4。
• Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same
  申请人：Wang Ziyun

  公开号：US20050080285A1

  公开（公告）日：2005-04-14

  This invention relates to silicon precursor compositions for forming silicon-containing films by low temperature (e.g., <550° C.) chemical vapor deposition processes for fabrication of ULSI devices and device structures. Such silicon precursor compositions comprise at least a silane or disilane derivative that is substituted with at least one alkylhydrazine functional groups and is free of halogen substitutes.

  这项发明涉及用于通过低温（例如，<550°C）化学气相沉积工艺形成含硅膜的硅前体组合物，用于制造超大规模集成电路器件和器件结构。这种硅前体组合物至少包括一种取代了至少一个烷基肼官能团且不含卤素取代物的硅烷或二硅烷衍生物。