二[mu-[N,N'-二(1-甲基丙基)乙脒]]二铜 | 695188-31-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 中文名称: 二[mu-[N,N'-二(1-甲基丙基)乙脒]]二铜
• 中文别名: 双（N，N''-二仲丁基乙酰胺基）双铜（I）
• 英文名称: copper(I) N,N'-di-sec-butylacetamidinate
• 英文别名: [(N,N'-di-sec-butylacetamidinato)copper(I)]2；N,N'-di-sec-butylacetamidinato copper(I)；(Cu(I)(sBu-amd))2；[Cu((s)Bu-Me-amd)]2；(N,n-di-sec-butylacetamidinato)copper(i)；butan-2-yl-(N-butan-2-yl-C-methylcarbonimidoyl)azanide;copper(1+)
• CAS: 695188-31-9
• 化学式: C₂₀H₄₂Cu₂N₄
• 分子量: 465.672
• InChiKey: RUUJZWYITYFKCY-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  77 °C
• 稳定性/保质期：
  遵照规定使用和储存，则不会分解。

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.75
• 重原子数：
  26
• 可旋转键数：
  10
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.9
• 拓扑面积：
  26.7
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  二[mu-[N,N'-二(1-甲基丙基)乙脒]]二铜 在 氢气 作用下， 以 gas 为溶剂， 生成 铜
  参考文献：
  名称：

  来自液态铜 (I) 脒酸盐前体的超薄铜金属膜的原子层沉积

  摘要：

  我们报告了一种通过原子层沉积 (ALD) 在纵横比超过 35:1 的非常窄的孔中保形地生产薄、完全连续和高导电铜膜的方法。纯铜薄膜由新型脒铜（I）前体、N,N'-二仲丁基乙脒酸铜（I）和作为还原剂的分子氢气生长而成。这种铜前体在汽化过程中是液体，因为它的熔点 (77°C) 低于其汽化温度 (90-120°C)。因此，前体蒸气的传输是非常可再现和可控的。碳和氧杂质低于1原子%。每个循环的生长在 SiO 2 或 Si 3 N 4 表面上为 1.5-2 A/循环，但在金属 Ru、Cu 和 Co 表面上仅为 0.1-0.5 A/循环。在氧化物表面，铜原子形成孤立的铜微晶，在更多的沉积循环后融合成粗糙的多晶薄膜。在 Ru 和 Co 金属表面上，ALD Cu 密集成核，形成光滑且附着力强的薄膜，即使薄膜薄至 4 个原子层，这些薄膜也是连续的。在 2 nm Ru 基板上沉积 4 nm Cu 时，薄层电阻低于

  DOI：

  10.1149/1.2338632
• 作为产物：
  描述：

  N,N'-di-sec-butylacetamidine 、 copper(l) chloride 在 methyllithium 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 以90%的产率得到二[mu-[N,N'-二(1-甲基丙基)乙脒]]二铜
  参考文献：
  名称：

  Synthesis and Characterization of Copper(I) Amidinates as Precursors for Atomic Layer Deposition (ALD) of Copper Metal

  摘要：

  A series of copper(I) amidinates of the general type [(R ' NC(R)NR '')Cu](2) (R ' and R '' = n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, sec-butyl, tert-butyl; R = methyl, n-butyl) have been synthesized and characterized. These compounds are planar dimers, bridged by nearly linear N-Cu-N bonds. Their properties (volatility, low melting point, high thermal stability, and self-limited surface reactivity) are well-suited for atomic layer deposition (ALD) of copper metal films that are pure, highly conductive, conformal, and strongly adherent to substrates.

  DOI：

  10.1021/ic048492u

文献信息

• Ultrathin CVD Cu Seed Layer Formation Using Copper Oxynitride Deposition and Room Temperature Remote Hydrogen Plasma Reduction
  作者：Hoon Kim、Harish B. Bhandari、Sheng Xu、Roy G. Gordon

  DOI：10.1149/1.2912326

  日期：——

  CuON films were then reduced with remote hydrogen plasma near room temperature to minimize agglomeration of the thin Cu films during reduction. After reduction, CuON films having a Cu2O crystal structure showed a higher density Cu film 95% than those having a Cu3N crystal structure 84%. Both reduced Cu films had a smooth morphology 1 nm rms roughness. Thus, deposition of a CuON film having a Cu2O crystal

  用于未来互连的铜种子层必须具有共形阶梯覆盖、光滑的表面形态和强附着力。化学气相沉积CVD已经实现了共形沉积，但CVD铜膜表面粗糙，附着力差。在本文中，通过 CVD 制备了保形、光滑、粘附、连续和薄的 9nm 铜膜。CuON 是由 Cu-脒酸盐前体、H2O 和 NH3 在 140-180°C 下沉积在 Ru 上的。沉积膜中的微晶根据 H2Ot 或 NH3 的比例具有 Cu2O 或 Cu3N 结构。沉积后的 CuON 薄膜具有光滑的表面形态，0.5 nm 均方根 rms 粗糙度，并且在 40:1 纵横比孔中高度保形 95% 阶梯覆盖。然后在室温附近用远程氢等离子体将 CuON 薄膜还原为减少还原过程中铜薄膜的团聚。还原后，具有Cu 2 O 晶体结构的CuON 膜显示出比具有84% 的Cu 3 N 晶体结构的膜更高密度的Cu 膜95%。两种还原的铜膜都具有 1 nm rms 粗糙度的平滑形态。因此，沉积具有
• Synthesis and Characterization of Copper(I) Amidinates as Precursors for Atomic Layer Deposition (ALD) of Copper Metal
  作者：Zhengwen Li、Seán T. Barry、Roy G. Gordon

  DOI：10.1021/ic048492u

  日期：2005.3.21

  A series of copper(I) amidinates of the general type [(R ' NC(R)NR '')Cu](2) (R ' and R '' = n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, sec-butyl, tert-butyl; R = methyl, n-butyl) have been synthesized and characterized. These compounds are planar dimers, bridged by nearly linear N-Cu-N bonds. Their properties (volatility, low melting point, high thermal stability, and self-limited surface reactivity) are well-suited for atomic layer deposition (ALD) of copper metal films that are pure, highly conductive, conformal, and strongly adherent to substrates.
• Atomic Layer Deposition of Ultrathin Copper Metal Films from a Liquid Copper(I) Amidinate Precursor
  作者：Zhengwen Li、Antti Rahtu、Roy G. Gordon

  DOI：10.1149/1.2338632

  日期：——

  producing thin, completely continuous and highly conductive copper films conformally inside very narrow holes with aspect ratios over 35:1 by atomic layer deposition (ALD). Pure copper thin films were grown from a novel copper(I) amidinate precursor, copper(I) N,N'-di-sec-butylacetamidinate, and molecular hydrogen gas as the reducing agent. This copper precursor is a liquid during vaporization because its

  我们报告了一种通过原子层沉积 (ALD) 在纵横比超过 35:1 的非常窄的孔中保形地生产薄、完全连续和高导电铜膜的方法。纯铜薄膜由新型脒铜（I）前体、N,N'-二仲丁基乙脒酸铜（I）和作为还原剂的分子氢气生长而成。这种铜前体在汽化过程中是液体，因为它的熔点 (77°C) 低于其汽化温度 (90-120°C)。因此，前体蒸气的传输是非常可再现和可控的。碳和氧杂质低于1原子%。每个循环的生长在 SiO 2 或 Si 3 N 4 表面上为 1.5-2 A/循环，但在金属 Ru、Cu 和 Co 表面上仅为 0.1-0.5 A/循环。在氧化物表面，铜原子形成孤立的铜微晶，在更多的沉积循环后融合成粗糙的多晶薄膜。在 Ru 和 Co 金属表面上，ALD Cu 密集成核，形成光滑且附着力强的薄膜，即使薄膜薄至 4 个原子层，这些薄膜也是连续的。在 2 nm Ru 基板上沉积 4 nm Cu 时，薄层电阻低于