ruthenium sulfate

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 过渡金属氧阴离子化合物
• 英文名称: ruthenium sulfate
• 英文别名: ruthenium sulphate；Ruthenium(II) sulfate；ruthenium(2+);sulfate
• 化学式: O₄S*Ru
• 分子量: 197.134
• InChiKey: DKNJHLHLMWHWOI-UHFFFAOYSA-L

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.34
• 重原子数：
  6
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  88.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  ruthenium sulfate 在 palladium dichloride sodium hydroxide 、 磷酸 作用下， 以 sodium hydroxide 为溶剂， 生成 钌
  参考文献：
  名称：

  高密度DRAM电容器电镀制备钌底电极

  摘要：

  研究了将 Ru 电镀用作高密度动态随机存取存储器 (DRAM) 电容器底部电极的可能性。在 TiN 基板上电镀 Ru 之前，执行 HF 清洁和 Pd 活化。通过 HF 处理从 TiN 衬底中去除 Ti 氧化物能够激活 Pd，这增强了 TiN 衬底上 Ru 的成核。优化的预处理导致连续的 Ru 薄膜沉积。在裸基板上的 45 nm Ru 膜处测量表面粗糙度为 4.4 nm。此外，Ru电镀方法也应用于电容器节点型TiN晶片。Ru在图案化晶圆上的沉积速率与裸晶圆上的相同。该薄膜表现出 93% 的阶梯覆盖率和良好的附着力，可与 CVD Ru 薄膜相媲美。

  DOI：

  10.1149/1.1637900
• 作为产物：
  描述：

  硫酸 、 钌 在 肼 作用下， 以 not given 为溶剂， 生成 ruthenium sulfate
  参考文献：
  名称：

  Vdovenko, V. M.; Lazarev, L. N.; Khvorostin, Ya. S., Radiokhimiya, 1966, vol. 8, p. 613 - 619

  摘要：

  DOI：
• 作为试剂：
  描述：

  乙酸酐 、 甲苯 在 ruthenium sulfate 、 zirconium(IV) oxide 作用下， 反应 2.0h， 生成 对甲基苯乙酮 、 1-甲基苯基乙酮 、 3'-甲基苯乙酮
  参考文献：
  名称：

  固体超强酸催化甲苯的 Friedel-Crafts 乙酰化、丙酰化和丁酰化

  摘要：

  甲苯与乙酸酐的液固相乙酰化反应是在硫酸化金属氧化物 (SO4/MeOx) 和负载金属氧化物 (Me1Ox/Me2Oy) 的固体超强酸上进行的，这些氧化物选自甲苯与苯甲酸酐的苯甲酰化结果 [K. Arata、H. Nakamura 和 M. Shouji，Appl。加泰罗尼亚。答：总则，197, 213 (2000)]。反应通过在 110°C 搅拌下，在第一个 30 分钟的时间内将 2 mmol 乙酸酐和 2 mL 甲苯的混合物滴加到悬浮在 13 mL 甲苯中的 0.5 g 催化剂上，然后搅拌混合物2小时。在 9-10% 2'-、1-2% 3'- 和 89-90% 4'-异构体分布中 2'-、3'- 和 4'-甲基苯乙酮的产率分别为 24% 和 13% SO4/ZrO2 和 SO4/SnO2 的硫酸化金属氧化物，Pt 和 Ru 的那些促进了硫酸化氧化锆（Pt-，Ru-SO4/ZrO2) 分别为

  DOI：

  10.1246/bcsj.76.1071

文献信息

• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Ru: SVol., 102, page 314 - 316
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Ruthenium Bottom Electrode Prepared by Electroplating for a High Density DRAM Capacitor
  作者：Oh Joong Kwon、Seung Hwan Cha、Jae Jeong Kim

  DOI：10.1149/1.1637900

  日期：——

  led to a continuous Ru film deposition. The surface roughness was measured to be 4.4 nm at 45 nm Ru film on the bare substrate. Moreover Ru electroplating method was also applied to a capacitor node-type TiN wafer. The deposition rate of Ru on the patterned wafer was the same as that on a bare wafer. The film showed 93% step coverage and good adhesion, comparable to CVD Ru films.

  研究了将 Ru 电镀用作高密度动态随机存取存储器 (DRAM) 电容器底部电极的可能性。在 TiN 基板上电镀 Ru 之前，执行 HF 清洁和 Pd 活化。通过 HF 处理从 TiN 衬底中去除 Ti 氧化物能够激活 Pd，这增强了 TiN 衬底上 Ru 的成核。优化的预处理导致连续的 Ru 薄膜沉积。在裸基板上的 45 nm Ru 膜处测量表面粗糙度为 4.4 nm。此外，Ru电镀方法也应用于电容器节点型TiN晶片。Ru在图案化晶圆上的沉积速率与裸晶圆上的相同。该薄膜表现出 93% 的阶梯覆盖率和良好的附着力，可与 CVD Ru 薄膜相媲美。
• Vdovenko, V. M.; Lazarev, L. N.; Khvorostin, Ya. S., Radiokhimiya, <hi>1966</hi>, vol. 8, p. 613 - 619
  作者：Vdovenko, V. M.、Lazarev, L. N.、Khvorostin, Ya. S.

  DOI：——

  日期：——