bis(dimethylamino)hafnium(IV) chloride

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: bis(dimethylamino)hafnium(IV) chloride
• 英文别名: Hf(NMe₂)₂Cl₂；dimethylazanide;hafnium(4+);dichloride
• 化学式: C₄H₁₂Cl₂HfN₂
• 分子量: 337.549
• InChiKey: YDQQUSYBCOEIGZ-UHFFFAOYSA-L

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -4.76
• 重原子数：
  9
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  bis(dimethylamino)hafnium(IV) chloride 、 天然橡胶 在 sodium amalgam 作用下， 反应 24.0h， 生成
  参考文献：
  名称：

  유기 금속 화합물, 반도체 박막 증착용 조성물, 유기 금속 화합물을 이용한 박막의 제조 방법, 및 박막을 포함하는 반도체 소자

  摘要：

  这是一份关于有机金属化合物，化学式为1，用于制造半导体薄膜沉积物的配方，以及使用上述有机金属化合物制造薄膜的方法，以及涉及包含上述薄膜的半导体器件的说明。 对于化学式1的具体内容，请参阅说明书中的定义。

  公开号：

  KR20190086255A
• 作为产物：
  描述：

  Hf(NMe₂)₄ 、 氯化铪 在 四氢呋喃 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 反应 1.0h， 生成 bis(dimethylamino)hafnium(IV) chloride
  参考文献：
  名称：

  유기 금속 화합물, 반도체 박막 증착용 조성물, 유기 금속 화합물을 이용한 박막의 제조 방법, 및 박막을 포함하는 반도체 소자

  摘要：

  这是一份关于有机金属化合物，化学式为1，用于制造半导体薄膜沉积物的配方，以及使用上述有机金属化合物制造薄膜的方法，以及涉及包含上述薄膜的半导体器件的说明。 对于化学式1的具体内容，请参阅说明书中的定义。

  公开号：

  KR20190086255A

文献信息

• 유기 금속 화합물, 반도체 박막 증착용 조성물, 유기 금속 화합물을 이용한 박막의 제조 방법, 및 박막을 포함하는 반도체 소자
  申请人：SAMSUNG SDI CO., LTD. 삼성에스디아이 주식회사(119980018058) Corp. No ▼ 110111-0394174BRN ▼124-81-31282

  公开号：KR20190086255A

  公开（公告）日：2019-07-22

  본 기재는, 하기 화학식 1로 표시되는 유기 금속 화합물, 반도체 박막 증착용 조성물, 상기 유기 금속 화합물을 이용한 박막의 제조 방법, 및 상기 박막을 포함하는 반도체 소자에 관한 것이다. [화학식 1] 상기 화학식 1에 대한 구체적인 내용은 명세서 상에서 정의된 것과 같다.

  这是一份关于有机金属化合物，化学式为1，用于制造半导体薄膜沉积物的配方，以及使用上述有机金属化合物制造薄膜的方法，以及涉及包含上述薄膜的半导体器件的说明。 对于化学式1的具体内容，请参阅说明书中的定义。