The Scope of Direct Alkylation of Gold Surface with Solutions of C<sub>1</sub>–C<sub>4</sub> <i>n</i>-Alkylstannanes
作者:Eva Kaletová、Anna Kohutová、Jan Hajduch、Jiří Kaleta、Zdeněk Bastl、Lubomír Pospíšil、Ivan Stibor、Thomas F. Magnera、Josef Michl
DOI:10.1021/jacs.5b07672
日期:2015.9.23
with dilute tetrahydrofuran or chloroform solutions of tetraalkylstannanes (alkyl = methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl) or di-n-butylmethylstannyl tosylate under ambient conditions causes a self-limited growth of disordered monolayers consisting of alkyls and tin oxide. Extensive use of deuterium labeling showed that the alkyls originate from the stannane and not from ambient impurities, and that trialkylstannyl
在环境条件下用稀释的四氢呋喃或四烷基锡烷(烷基 = 甲基、乙基、正丙基、正丁基)或甲苯磺酸二正丁基甲基锡酯的氯仿溶液处理清洁的金表面会导致由烷基组成的无序单层的自限性生长和氧化锡。氘标记的广泛使用表明烷基来源于锡烷而不是来自环境杂质,并且与先前的提议相反,单层中不存在三烷基锡烷基。与 Sn 原子相连的甲基不会转移到表面。乙基转移缓慢,丙基和丁基转移迅速。在所有情况下,氧化锡都以亚单层量共沉积。单层通过椭偏仪、接触角测角仪、偏光调制 IR 反射吸收光谱、X 射线光电子能谱和带有亚铁氰化物/铁氰化物的电化学阻抗谱,显示出非常低的电荷转移电阻。单层的热稳定性及其对溶剂的耐受性与正十八烷硫醇单层的热稳定性相当。对四正丁基锡烷的 THF 溶液中单层沉积动力学的初步检查表明,对锡烷的整体溶液浓度有大约一半的依赖性,这表明可以从单个锡烷分子转移一个以上的烷基。烷基连接的详细结构是未知的,并且提出它涉及一