由于材料在高温下的热膨胀引起的变形会损害设备的功能。因此,高温零热膨胀 (ZTE) 化合物广泛用于许多高精度设备中。然而,磁性化合物的热膨胀对磁性行为的支配使得在高温下显示中兴通讯变得困难。在此,我们报道了富
铁 HfFe 2+δ中的高温 ZTE化合物,其中兴通讯的工作温度可以达到583 K,是中兴通讯
金属基化合物达到的最高温度。同步加速器 X 射线衍射 (SXRD)、中子粉末衍射、穆斯堡尔光谱、第一性原理计算和宏观磁测量表明,额外的 Fe 原子占据 Hf 位点并引入了与相邻 Fe 原子的额外
铁磁交换相互作用路径,从而增强磁转变温度和中兴温度区域。此外,实验表明,HfFe 2.5生成 ZTE是由于Fe的磁矩从有序状态转变为无序状态引起的晶格收缩和晶格振动引起的晶格膨胀相互抵消。该研究不仅报道了一种高温 ZTE 材料,还提供了一种不寻常的方法来调制磁系统以获得高温 ZTE 化合物。