氟化镉 | 7790-79-6

• 物质功能分类: 无机化工 - 无机盐 - 金属卤化物及卤酸盐
• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 过渡金属盐
• 中文名称: 氟化镉
• 英文名称: Cadmium fluoride [MI]
• 英文别名: cadmium(2+);difluoride
• CAS: 7790-79-6
• 化学式: CdF2
• 分子量: 150.41
• InChiKey: LVEULQCPJDDSLD-UHFFFAOYSA-L

物化性质

• 熔点：
  1049 °C
• 沸点：
  1748 °C
• 密度：
  6.33 g/mL at 25 °C(lit.)
• 闪点：
  1758°C
• 溶解度：
  溶于酸溶液；不溶于乙醇
• 稳定性/保质期：

  如果按照规格使用和储存，则不会分解。请避免接触氧化物、碱以及碱金属。该物质不溶于乙醇、液氨和碱溶液，略溶于水，并且可以溶解在氢氟酸和其他无机酸中。

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.84
• 重原子数：
  3
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

ADMET

毒理性

• 副作用

Nephrotoxin - The chemical is potentially toxic to the kidneys in the occupational setting. 肾毒素 - 该化学品在职业环境中可能对肾脏有毒。

Nephrotoxin - The chemical is potentially toxic to the kidneys in the occupational setting.

来源:Haz-Map, Information on Hazardous Chemicals and Occupational Diseases

安全信息

• TSCA：
  Yes
• 危险等级：
  6.1
• 危险品标志：
  T+,N
• 安全说明：
  S45,S53,S60,S61
• 危险类别码：
  R61,R46,R25,R45,R26,R50/53,R48/23/25,R60
• WGK Germany：
  3
• 海关编码：
  2826199030
• 危险品运输编号：
  UN 2570
• RTECS号：
  EV0700000
• 包装等级：
  II
• 危险类别：
  6.1

SDS

第一部分：化学品名称

制备方法与用途

氟化镉可用作电刷、磷光体、制玻璃以及核反应器中的控制材料。

化学性质

微溶于水，可溶于无机酸、氢氟酸和50%的乙醇，不溶于纯乙醇及氨水。高温下在水中水解，并与苛性碱或氢氧化镉作用生成碱式氟化镉(CdOHF)。

溶解度

每100毫升水中的溶解克数：

• 4g/20℃

类别

有毒物品，高毒级别

急性毒性

口服 - 豚鼠 LD50: 150毫克/公斤

危险特性

• 爆炸物危险特性： 与金属钾反应剧烈
• 可燃性危险特性： 热分解时排出有毒含镉、氟化物烟雾
• 储运特性： 库房通风低温干燥，与金属钾和食品分开储运

灭火剂

二氧化碳、砂土

职业标准

• 毒物时间加权平均容许浓度 (TLV-TWA) 0.05毫克/立方米（镉）
• 短时间接触容许浓度 (STEL) 0.10毫克/立方米（镉）

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  硫脲 、 氟化镉 、 水 生成 difluorocadmium;thiourea
  参考文献：
  名称：

  UGAJ, YA. A.;SEMENOV, V. N.;AVERBAX, E. M.;SHAMSHEEVA, I. L., ZH. PRIKL. XIMII, 61,(1988) N 11, S. 2409-2414

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  diazanium;difluorocadmium;difluoride 生成 氟化镉
  参考文献：
  名称：

  WATANABE, MORIO;NISHIMURA, SANJI

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Diffusion procedure for semiconductor compound
  申请人：AT&T Bell Laboratories

  公开号：US04502898A1

  公开（公告）日：1985-03-05

  A process is described for doping compound semiconductors using a metal fluoride (e.g., ZnF.sub.2) as the source of dopant. The anhydrous metal fluoride is put down on the surface of the compound semiconductor, capped with a suitable encapsulant and heat treated to promote the diffusion. The heat treatment can be carried out in air without danger of surface damage to the compound semiconductor. Also, the diffusion is better controlled as to depth of diffusion and boundary delineation.

  本文介绍了一种使用金属氟化物（例如ZnF.sub.2）作为掺杂源的化合物半导体掺杂工艺。将无水金属氟化物沉积在化合物半导体表面上，用适当的封装剂封盖，并进行热处理以促进扩散。热处理可以在空气中进行，不会对化合物半导体表面造成损伤。此外，扩散的深度和边界划分更易于控制。

表征谱图