2,6-dimethylpiperidinotrimethylsilane | 1469361-71-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 哌啶类
• 英文名称: 2,6-dimethylpiperidinotrimethylsilane
• 英文别名: 2,6-Dimethylpiperidinotrimethylsilane；(2,6-dimethylpiperidin-1-yl)-trimethylsilane
• CAS: 1469361-71-4
• 化学式: C₁₀H₂₃NSi
• 分子量: 185.385
• InChiKey: NFVBAYVEVKKWEE-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.08
• 重原子数：
  12
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  3.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  2,6-二甲基哌啶 在 三甲基氯硅烷 作用下， 以 正己烷 为溶剂， 以75%的产率得到2,6-dimethylpiperidinotrimethylsilane
  参考文献：
  名称：

  High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films

  摘要：

  公开号：

  EP2650399B1

文献信息

• HIGH TEMPERATURE ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON OXIDE THIN FILMS
  申请人：Air Products and Chemicals, Inc.

  公开号：US20130295779A1

  公开（公告）日：2013-11-07

  Composition(s) and atomic layer deposition (ALD) process(es) for the formation of a silicon oxide containing film at one or more deposition temperature of about 500° C. is disclosed. In one aspect, the composition and process use one or more silicon precursors selected from compounds having the following formulae I, II, described and combinations thereof R 1 R 2 m Si(NR 3 R 4 ) n X p ; and  I. R 1 R 2 m Si(OR 3 ) n (OR 4 ) q X p .  II

  本发明揭示了用于在约500℃的一个或多个沉积温度下形成含有硅氧化物薄膜的组合物和原子层沉积（ALD）工艺。在一方面，该组合物和工艺使用以下化合物之一或多个硅前体，并且它们的组合：R1R2mSi（NR3R4）nXp;和I.R1R2mSi（OR3）n（OR4）qXp。II