N-dimethylphenylsilyl-N-methylaniline | 54818-91-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: N-dimethylphenylsilyl-N-methylaniline
• 英文别名: N-[dimethyl(phenyl)silyl]-N-methylaniline
• CAS: 54818-91-6
• 化学式: C₁₅H₁₉NSi
• 分子量: 241.408
• InChiKey: XAXVNQGLQLMJSG-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.24
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.2
• 拓扑面积：
  3.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  二甲基苯基硅烷 、 N-甲基苯胺 在 [2,6-η6:η1-bis(2,4,6-trimethylphenyl)phenylthiolato]triethylphosphineruthenium(II)tetrakis[3,5-bis(trifluoromethyl)phenyl]borate 作用下， 以 正己烷 为溶剂， 反应 0.08h， 以92%的产率得到N-dimethylphenylsilyl-N-methylaniline
  参考文献：
  名称：

  吡咯，吲哚，咔唑以及苯胺与氢化硅烷的催化脱氢Si-N偶联，无需添加碱。

  摘要：

  报道了用于等芳烃或等摩尔量的氢化芳烃的杂芳烃或芳基取代的胺的弱亲核NH基团的脱氢Si-N偶联的无碱催化方案。在Ru-S键上协同激活Si-H键会生成亲电子体，该亲电体在中间Ru-H配合物使NH脱质子化之前形成Si-N键，仅释放H（2）。

  DOI：

  10.1039/c3cc38900f

文献信息

• Friedel-Crafts-Type Intermolecular C−H Silylation of Electron-Rich Arenes Initiated by Base-Metal Salts
  作者：Qin Yin、Hendrik F. T. Klare、Martin Oestreich

  DOI：10.1002/anie.201510469

  日期：2016.2.24

  An electrophilic aromatic substitution (SEAr) with a catalytically generated silicon electrophile is reported. Essentially any commercially available base‐metal salt acts as an initiator/catalyst when activated with NaBArF4 . The thus‐generated Lewis acid then promotes the SEAr of electron‐rich arenes with hydrosilanes but not halosilanes. This new C−H silylation was optimized for FeCl2 /NaBArF4 ,

  亲电芳族取代（S Ë报道AR）与催化产生的硅电试剂。当用NaBAr F 4活化时，基本上任何市售的贱金属盐都可作为引发剂/催化剂 。然后，由此产生的路易斯酸会与氢硅烷（而不是卤代硅烷）一起促进富电子芳烃的S E Ar。针对FeCl 2  / NaBAr F 4对这种新的CHH甲硅烷基化进行了优化， 在低至0.5 mol％的催化剂负载下提供了良好的收率。该过程非常简单，与典型的Friedel-Crafts方法非常接近，在该方法中不需要添加碱来吸收释放的质子。
• Preparation Of Aromatic-Substituted Silylamines By The Dehydrogenative Coupling Of Aromatic-Substituted Amine N-H And Si-H Bonds
  申请人：California Institute Of Technology

  公开号：US20190218232A1

  公开（公告）日：2019-07-18

  The present disclosure is directed at methods of forming an N—Si silyl bond, the method comprising contacting an organic substrate comprising an aromatic amine having at least one N—H bond with a mixture comprising of (a) at least one hydrosilane or hydrosiloxane and (b) at least one hydroxide or alkoxide, under conditions sufficient to form the N—Si bond. The disclosure is further directed to the compositions involved in these methods and the products that result therefrom.

  本公开涉及形成N-Si硅基键的方法，所述方法包括将含有至少一个N-H键的芳香胺的有机基质与包括（a）至少一种氢硅烷或氢硅氧烷以及（b）至少一种氢氧化物或烷氧化物的混合物接触，在足以形成N-Si键的条件下进行。该公开进一步涉及参与这些方法的组合物以及由此产生的产品。