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5-perfluorophenyl-2,3-thiophenedicarboxaldehyde | 1146159-90-1

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
5-perfluorophenyl-2,3-thiophenedicarboxaldehyde
英文别名
5-pentafluorophenyl-thiophene-2,3-dialdehyde;5-(2,3,4,5,6-Pentafluorophenyl)thiophene-2,3-dicarbaldehyde;5-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)thiophene-2,3-dicarbaldehyde
5-perfluorophenyl-2,3-thiophenedicarboxaldehyde化学式
CAS
1146159-90-1
化学式
C12H3F5O2S
mdl
——
分子量
306.213
InChiKey
JWRJUUORAIYMGL-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    376.8±42.0 °C(predicted)
  • 密度:
    1.623±0.06 g/cm3(Temp: 20 °C; Press: 760 Torr)(predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3
  • 重原子数:
    20
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    62.4
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    8

上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    参考文献:
    名称:
    Functionalized anthradithiophenes for organic field-effect transistors
    摘要:
    合成并表征了两种新的有机薄膜晶体管(OTFT)的半导体材料,分别为双氟苯基蒽二硫醚(DFPADT)和二甲基蒽二硫醚(DMADT)。第一种材料在OTFT器件中表现出双极输运,电子和孔的场效应迁移率(μ)分别为6 × 10−4 cm2 V−1 s−1和0.05 cm2 V−1 s−1。因此,发现双氟苯基取代能够有效地诱导n型输运。二甲基取代的蒽二硫醚(DMADT)也进行了合成以作比较,结果仅表现出孔输运,载流子迁移率约为0.1 cm2 V−1 s−1。在这个半导体家族中,OTFT的载流子迁移率值强烈依赖于半导体薄膜的生长条件、基片沉积温度和栅极介电层的表面处理。
    DOI:
    10.1039/b715746k
  • 作为产物:
    描述:
    5-perfluorophenyl-2,3-bis(1,3-dioxolan-2-yl)thiophene 在 盐酸 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 反应 0.5h, 以90%的产率得到5-perfluorophenyl-2,3-thiophenedicarboxaldehyde
    参考文献:
    名称:
    Functionalized anthradithiophenes for organic field-effect transistors
    摘要:
    合成并表征了两种新的有机薄膜晶体管(OTFT)的半导体材料,分别为双氟苯基蒽二硫醚(DFPADT)和二甲基蒽二硫醚(DMADT)。第一种材料在OTFT器件中表现出双极输运,电子和孔的场效应迁移率(μ)分别为6 × 10−4 cm2 V−1 s−1和0.05 cm2 V−1 s−1。因此,发现双氟苯基取代能够有效地诱导n型输运。二甲基取代的蒽二硫醚(DMADT)也进行了合成以作比较,结果仅表现出孔输运,载流子迁移率约为0.1 cm2 V−1 s−1。在这个半导体家族中,OTFT的载流子迁移率值强烈依赖于半导体薄膜的生长条件、基片沉积温度和栅极介电层的表面处理。
    DOI:
    10.1039/b715746k
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文献信息

  • Tang, Ming L.; Reichardt, Anna D.; Wei, Peng, Journal of the American Chemical Society, 2009, vol. 131, p. 5264 - 5273
    作者:Tang, Ming L.、Reichardt, Anna D.、Wei, Peng、Bao, Zhenan
    DOI:——
    日期:——
  • Functionalized anthradithiophenes for organic field-effect transistors
    作者:Ming-Chou Chen、Choongik Kim、Sheng-Yu Chen、Yen-Ju Chiang、Ming-Che Chung、Antonio Facchetti、Tobin J. Marks
    DOI:10.1039/b715746k
    日期:——
    Two new semiconductors for organic thin-film transistors (OTFTs), diperfluorophenyl anthradithiophene (DFPADT) and dimethyl anthradithiophene (DMADT), have been synthesized and characterized. The first material exhibits ambipolar transport in OTFT devices with field-effect mobilities (μ) of 6 × 10−4 cm2 V−1 s−1 and 0.05 cm2 V−1 s−1 for electrons and holes, respectively. Therefore, diperfluorophenyl substitution was found to be effective to induce n-type transport. Dimethyl-substituted anthradithiophene (DMADT) was also synthesized for comparison and exhibited exclusively hole transport with carrier mobility of ∼0.1 cm2 V−1 s−1. Within this semiconductor family, OTFT carrier mobility values are strongly dependent on the semiconductor film growth conditions, substrate deposition temperatures, and gate dielectric surface treatment.
    合成并表征了两种新的有机薄膜晶体管(OTFT)的半导体材料,分别为双氟苯基蒽二硫醚(DFPADT)和二甲基蒽二硫醚(DMADT)。第一种材料在OTFT器件中表现出双极输运,电子和孔的场效应迁移率(μ)分别为6 × 10−4 cm2 V−1 s−1和0.05 cm2 V−1 s−1。因此,发现双氟苯基取代能够有效地诱导n型输运。二甲基取代的蒽二硫醚(DMADT)也进行了合成以作比较,结果仅表现出孔输运,载流子迁移率约为0.1 cm2 V−1 s−1。在这个半导体家族中,OTFT的载流子迁移率值强烈依赖于半导体薄膜的生长条件、基片沉积温度和栅极介电层的表面处理。
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