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(NHt-bu)3SiCl | 18083-06-2

中文名称
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中文别名
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英文名称
(NHt-bu)3SiCl
英文别名
tris-tert-butylamino-chloro-silane;Tris-tert-butylamino-chlor-silan;N-[bis(tert-butylamino)-chlorosilyl]-2-methylpropan-2-amine
(NHt-bu)3SiCl化学式
CAS
18083-06-2
化学式
C12H30ClN3Si
mdl
——
分子量
279.929
InChiKey
ISDGDLDLWUINGY-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.83
  • 重原子数:
    17
  • 可旋转键数:
    6
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    36.1
  • 氢给体数:
    3
  • 氢受体数:
    3

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    Di(tert-butylamino)dichlorosilan 、 叔丁胺甲苯 为溶剂, 反应 24.0h, 以89%的产率得到(NHt-bu)3SiCl
    参考文献:
    名称:
    Preparation, spectroscopic characterization, and deprotonation reactions of Si(NHR)4 (R = i-Pr, t-Bu, p-tolyl) — EPR identification of persistent radicals formed by oxidation of polyimidosilicates
    摘要:
    在沸腾的甲苯中用t-BuNH2处理Cl2Si(NH-t-Bu)2(6a)可生成三氨基(氯)硅烷ClSi(NH-t-Bu)3(7);未观察到四氨基硅烷Si(NH-t-Bu)4的形成。SiCl4与4当量的LiNHR反应产生相应的四氨基硅烷Si(NHR)4(2a,R = i-Pr;2b,R = t-Bu;2c,R = p-tol)收率较高。当使用立体位阻的莽丁基衍生物LiHNAd时,只发生二取代反应形成Cl2Si(NHAd)2(6b)。氧化双聚合物硝基硅酸锂{Li3[Si(NR)3(NHR)]·THF}2(3a,R = i-Pr;3b,R = t-Bu)与1摩尔碘反应产生持久自由基{Li2[Si(NR)3(NHR)]·LiI·3THF}·,根据EPR谱,这些自由基在溶液中存在SiN3Li3I立方体形式。在氧化四锂物种{Li4[Si(Nnaph)4]·4Et2O}(1)和{[Li(12-crown-4)]2[(Et2O)2Li(µ-Nnaph)2Si(µ-Nnaph)2Li(Et2O)2]}(8)与碘反应后形成螺环四硝基硅酸盐单负离子自由基{[(THF)2Li(µ-Nnaph)2Si(µ-Nnaph)2Li(THF)2]}–·(10)。讨论了由Cl3SiOSiCl3与6当量LiNH-t-Bu反应形成的六(氨基)二硅氧烷(t-BuNH)3SiOSi(NH-t-Bu)3(14)的光谱表征。关键词:硝基配体,硅酸盐,自由基,EPR谱,锂。
    DOI:
    10.1139/v05-264
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文献信息

  • ハロゲン化アミノシラン化合物、薄膜形成用組成物およびシリコン含有薄膜
    申请人:大陽日酸株式会社
    公开号:JP2020186193A
    公开(公告)日:2020-11-19
    【課題】化学気相成長法を用いたシリコン含有薄膜の形成に適用可能な、新規な原料化合物を提供する。【解決手段】下式1または下式2で表されるハロゲン化アミノシラン化合物。[化1][化2]【選択図】なし
    提供适用于利用化学气相沉积法形成含硅薄膜的新型原料化合物。解决方案是以下式1或以下式2所示的卤代氨基硅烷化合物。【化1】【化2】。【选择图】无。
  • シリコン含有薄膜形成用シリコン含有化合物、及びシリコン含有薄膜の形成方法
    申请人:大陽日酸株式会社
    公开号:JP2020188100A
    公开(公告)日:2020-11-19
    【課題】化学気相成長法を用い、500℃未満の成膜温度で良質なシリコン含有薄膜を形成可能であり、副生成物の生成量が少ないシリコン含有薄膜形成用シリコン含有化合物を提供する。【解決手段】化学気相成長法によってシリコン含有薄膜を形成する際、特定の構造を有するクロロアミノシラン化合物をシリコン含有化合物として用いる。【選択図】なし
    题目:提供一种用于形成高质量含有硅薄膜的含有硅化合物,使用化学气相沉积法,成膜温度低于500℃,副产物生成量少。 解决方法:在使用化学气相沉积法形成含有硅薄膜时,使用具有特定结构的氯氨基硅烷化合物作为硅含量化合物。 选择图:无。
  • Breederveld, H.; Waterman, H. I., 1953, vol. 6, p. 43 - 43
    作者:Breederveld, H.、Waterman, H. I.
    DOI:——
    日期:——
  • Breederveld; Waterman, Research (London), 1953, vol. 6, p. Spl.50
    作者:Breederveld、Waterman
    DOI:——
    日期:——
  • Silicon amines
    申请人:SHELL DEV
    公开号:US02807635A1
    公开(公告)日:1957-09-24
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