hexakis(dimethylamino)disilane | 6415-17-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: hexakis(dimethylamino)disilane
• 英文别名: Hexakis-(dimethylamino)-disilan；Hexakis(dimethylamino) disilane；N-[bis(dimethylamino)-[tris(dimethylamino)silyl]silyl]-N-methylmethanamine
• CAS: 6415-17-4
• 化学式: C₁₂H₃₆N₆Si₂
• 分子量: 320.629
• InChiKey: FCFRXVHQYCYAOT-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  303.1±25.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.938±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.69
• 重原子数：
  20
• 可旋转键数：
  7
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  19.4
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  六氯乙硅烷 、 lithium dimethylamide 以 正己烷 为溶剂， 反应 17.0h， 生成 hexakis(dimethylamino)disilane 、 pentakis(dimethylamino)chlorodisilane
  参考文献：
  名称：

  WO2007/112779

  摘要：

  公开号：

文献信息

• PENTAKIS(DIMETHYLAMINO) DISILANE PRECURSOR COMPRISING COMPOUND AND METHOD FOR THE PREPARATION THEREOF
  申请人：Dussarrat Christian

  公开号：US20100016620A1

  公开（公告）日：2010-01-21

  Pentakis(dimethylamino) disilane with general formula (1): Si2(NMe2)5Y, where Y is selected from the group comprising H, Cl or an amino group its preparation method and its use to manufacture gate dielectric films or etch-stop dielectric films of SiN or SiON.

  Pentakis(dimethylamino) disilane的一般式为(1): Si2(NMe2)5Y，其中Y选择自H、Cl或氨基组合中的一种。本发明涉及其制备方法及其用于制造SiN或SiON的栅介电膜或刻蚀停止介电膜。
• Pentakis(dimethylamino) disilane precursor comprising compound and method for the preparation thereof
  申请人：L'Air Liquide Societe Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procedes Georges Claude

  公开号：US08153832B2

  公开（公告）日：2012-04-10

  Pentakis(dimethylamino) disilane with general formula (1): Si2(NMe2)5Y, where Y is selected from the group comprising H, Cl or an amino group its preparation method and its use to manufacture gate dielectric films or etch-stop dielectric films of SiN or SiON.

  Pentakis(dimethylamino) disilane的通式为（1）：Si2（NMe2）5Y，其中Y选自包括H，Cl或氨基的组。该化合物的制备方法以及其用于制造SiN或SiON的栅介电膜或刻蚀停止介电膜。
• METHOD FOR DEPOSITING SILICON NITRIDE FILMS AND/OR SILICON OXYNITRIDE FILMS BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
  申请人：Dussarrat Christian

  公开号：US20100221428A1

  公开（公告）日：2010-09-02

  Pentakis(dimethylamino) disilane comprising compound is used along with a nitrogen containing gas and optionally an oxygen containing gas for SiN (and optionally SiON) film deposition by CVD.

  Pentakis(dimethylamino) disilane 包含化合物，与含氮气体和可选的含氧气体一起用于通过CVD沉积SiN（和可选的SiON）薄膜。
• Method for depositing silicon nitride films and/or silicon oxynitride films by chemical vapor deposition
  申请人：Dussarrat Christian

  公开号：US08377511B2

  公开（公告）日：2013-02-19

  Disclosed are CVD deposition of SiN and SiON films using pentakis(dimethylamino)disilane compounds along with a nitrogen containing gas and optionally an oxygen containing gas.

  本发明涉及使用五(二甲基氨基)二硅烷化合物，以及含氮气体和可选的含氧气体进行SiN和SiON薄膜的CVD沉积。
• USRE045839E1
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——