[Dimethyl-[trimethylsilyl-tris[bis(trimethylsilyl)amino]germylamino]silyl]methane | 894424-91-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: [Dimethyl-[trimethylsilyl-tris[bis(trimethylsilyl)amino]germylamino]silyl]methane
• CAS: 894424-91-0
• 化学式: C₂₄H₇₂GeN₄Si₈
• 分子量: 714.136
• InChiKey: PKVREWYLEFAWFE-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  9.31
• 重原子数：
  37
• 可旋转键数：
  12
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  13
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  四氯化锗 、 lithium hexamethyldisilazane 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 8.0h， 生成 [Dimethyl-[trimethylsilyl-tris[bis(trimethylsilyl)amino]germylamino]silyl]methane
  参考文献：
  名称：

  Ge precursor, GST thin layer formed using the same, phase-change memory device including the GST thin layer, and method of manufacturing the GST thin layer

  摘要：

  提供了一种低温沉积的含有Ge、N和Si的Ge前体，使用相同的Ge前体形成掺杂有N和Si的GST薄层，包括掺杂有N和Si的GST薄层的存储器件，以及制造GST薄层的方法。低温沉积的Ge前体含有N和Si，使得Ge前体沉积形成薄层的温度，特别是掺杂有N和Si的GST薄层的温度可以很低。此外，在低温沉积过程中，可以使用H2等离子体。从低温沉积的Ge前体形成的掺杂有N和Si的GST相变层具有低复位电流。因此，包括掺杂有N和Si的GST相变层的存储器件可以高度集成，具有高容量，并且可以以高速运行。

  公开号：

  US07518007B2

文献信息

• Ge precursor, GST thin layer formed using the same, phase-change memory device including the GST thin layer, and method of manufacturing the GST thin layer
  申请人：Samsung Electronics Co., Ltd.

  公开号：US07518007B2

  公开（公告）日：2009-04-14

  Provided are a Ge precursor for low temperature deposition containing Ge, N, and Si, a GST thin layer doped with N and Si formed using the same, a memory device including the GST thin layer doped with N and Si, and a method of manufacturing the GST thin layer. The Ge precursor for low temperature deposition contains N and Si such that the temperature at which the Ge precursor is deposited to form a thin layer, particularly, the GST thin layer doped with N and Si, can be low. In addition, during the low temperature deposition, H2 plasma can be used. The GST phase-change layer doped with N and Si formed from the Ge precursor for low temperature deposition has a low reset current. Therefore, a memory device including the GST phase-change layer doped with N and Si can be highly integrated, have a high capacity, and can be operated at a high speed.

  提供了一种低温沉积的含有Ge、N和Si的Ge前体，使用相同的Ge前体形成掺杂有N和Si的GST薄层，包括掺杂有N和Si的GST薄层的存储器件，以及制造GST薄层的方法。低温沉积的Ge前体含有N和Si，使得Ge前体沉积形成薄层的温度，特别是掺杂有N和Si的GST薄层的温度可以很低。此外，在低温沉积过程中，可以使用H2等离子体。从低温沉积的Ge前体形成的掺杂有N和Si的GST相变层具有低复位电流。因此，包括掺杂有N和Si的GST相变层的存储器件可以高度集成，具有高容量，并且可以以高速运行。