报道了 R–SiCl2–P(SnMe3)2 和 R–GeCl2–P(SnMe3)2 类型的双(甲
锡烷基)膦酰基取代的二
氯硅烷/
锗烷的一般合成路线。对于 R = Cp* (=
1,2,3,4,5-五甲基环戊二烯基),可以获得相应
硅烷和
锗烷的晶体结构。这些化合物是第一个结构表征的双(甲
锡烷基)膦酰基取代的二
氯硅烷/
锗烷,由于它们的功能性,它们应该是生成不饱和 PSi 和
PGe 单元以及可能的
磷硅烷和
磷锗烷的理想前体。(© Wiley-
VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 69451 Weinheim, Germany, 2006)