4-((allyloxy)methyl)-N,N-dimethyl-1,3,2-dioxarsolan-2-amine | 1609015-33-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: 4-((allyloxy)methyl)-N,N-dimethyl-1,3,2-dioxarsolan-2-amine
• 英文别名: N,N-dimethyl-4-(prop-2-enoxymethyl)-1,3,2-dioxarsolan-2-amine
• CAS: 1609015-33-9
• 化学式: C₈H₁₆AsNO₃
• 分子量: 249.142
• InChiKey: SRGCMAPCWBEYHN-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.15
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.75
• 拓扑面积：
  30.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  甘油烯丙基醚 、 三(二甲氨基)砷 在 氮气 作用下， 以 正己烷 为溶剂， 反应 1.0h， 以gives crude 4-((allyloxy)methyl)-N,N-dimethyl-1,3,2-dioxarsolan-2-amine as an oil的产率得到4-((allyloxy)methyl)-N,N-dimethyl-1,3,2-dioxarsolan-2-amine
  参考文献：
  名称：

  FORMULATIONS OF SOLUTIONS AND PROCESSES FOR FORMING A SUBSTRATE INCLUDING AN ARSENIC DOPANT

  摘要：

  本发明描述了形成包含掺杂剂的基板的溶液和工艺配方。在特定实施例中，掺杂剂可以包括砷（As）。在一种实施例中，提供了一种包括溶剂和掺杂剂的掺杂剂溶液。在特定的实施例中，掺杂剂溶液的闪点至少大于能够使基板表面的原子附着到掺杂剂溶液中含有砷的化合物的最低温度。在一种实施例中，基板表面的一些硅原子与含有砷的化合物共价结合。

  公开号：

  US20140124896A1

文献信息

• Formulations of solutions and processes for forming a substrate including an arsenic dopant
  申请人：Dynaloy, LLC

  公开号：US08853438B2

  公开（公告）日：2014-10-07

  Formulations of solutions and processes are described to form a substrate including a dopant. In particular implementations, the dopant may include arsenic (As). In an embodiment, a dopant solution is provided that includes a solvent and a dopant. In a particular embodiment, the dopant solution may have a flashpoint that is at least approximately equal to a minimum temperature capable of causing atoms at a surface of the substrate to attach to an arsenic-containing compound of the dopant solution. In one embodiment, a number of silicon atoms at a surface of the substrate are covalently bonded to the arsenic-containing compound.

  描述了形成包括掺杂剂的基板的溶液和过程的配方。在特定的实施中，掺杂剂可以包括砷（As）。在一种实施例中，提供了一个包括溶剂和掺杂剂的掺杂剂溶液。在特定的实施例中，掺杂剂溶液的闪点可以至少大约等于能够使基板表面的原子附着到掺杂剂溶液中含有砷的化合物的最低温度。在一种实施例中，基板表面的硅原子数量与含砷化合物的化合物共价键合。
• FORMULATIONS OF SOLUTIONS AND PROCESSES FOR FORMING A SUBSTRATE INCLUDING AN ARSENIC DOPANT
  申请人：DYNALOY, LLC

  公开号：US20140124896A1

  公开（公告）日：2014-05-08

  Formulations of solutions and processes are described to form a substrate including a dopant. In particular implementations, the dopant may include arsenic (As). In an embodiment, a dopant solution is provided that includes a solvent and a dopant. In a particular embodiment, the dopant solution may have a flashpoint that is at least approximately equal to a minimum temperature capable of causing atoms at a surface of the substrate to attach to an arsenic-containing compound of the dopant solution. In one embodiment, a number of silicon atoms at a surface of the substrate are covalently bonded to the arsenic-containing compound.

  描述了形成包括掺杂剂的基板的解决方案和过程的配方。在特定实施方案中，掺杂剂可能包括砷（As）。在一个实施例中，提供了一种包括溶剂和掺杂剂的掺杂剂溶液。在一个特定实施例中，掺杂剂溶液可能具有至少大致等于能够导致基板表面的原子附着到掺杂剂溶液中含砷化合物的最低温度的闪点。在一个实施例中，基板表面的硅原子数量与含砷化合物共价结合。