SiHbonds can be activated by organozinc and silylzinc compounds in the presence of minute amounts of radical initiators such as tBu2Hg or AIBN, yielding zinciosilanes in good yields (see scheme). Activation of dihydridosilanes leads to geminal dizinciosilanes. Zincio‐bridged disilyllithium compounds, which have three (1) and four metal–silicon bonds, were also synthesized.
thermally stable [(tBuMe2Si)2M] (M=Zn, Hg) generate R3Si. radicals in the presence of [(dmpe)Pt(PEt3)2] at 60–80 °C. The reaction proceeds via hexacoordinate Ptcomplexes, (M=Zn (2 a and 2 b), M=Hg (3 a and 3 b)) which were isolated and characterized. Mild warming or photolysis of 2 or 3 lead to homolytic dissociation of the PtMSiR3 bond generating silyl radicals and novel unstable pentacoordinate platinum
Bis[tris(trimethylsilyl)silyl]zink, -cadmium und -quecksilber, schwingungsspektroskopische Daten und Strukturanalysen
作者:Karl Wilhelm Klinkhammer、Johann Weidlein
DOI:10.1002/zaac.19966220718
日期:1996.7
AbstractBis[tris(trimethylsilyl)silyl]zink (1), ‐cadmium (2) und ‐quecksilber (3) wurden schwingungsspektroskopisch charakterisiert. Die gesammelten Daten stehen im Einklang mit Molekülgerüsten annähernder D3h oder D3d‐Symmetrie. Kristallstrukturanalysen an den Verbindungen 2 und 3 zeigen, daß alle drei HypersilylderivateZur Bezeichnung Hypersilyl siehe [9]
der Gruppe 12 isomorph in der triklinen, zentrosymmetrischen Raumgruppe P1 [2 (T = 293 K): a = 9.4388(11); b = 9.744(2); c = 12.926(2); α = 68.200(12); β = 71.971(10); γ = 60.925(10); Z = 1; (T = 173 K): a = 9.336(6); b = 9.585(5); c = 12.488(8); α = 68.77(4); β = 72.28(4); γ = 62.06(4); 3: a = 9.467(2); b = 9.749(2); c = 12.885(2); α = 67.840(14); β = 71.510(14); γ = 60.890(14); Z = 1] kristallisieren und zumindestens im Festkörper annähernd die aufgrund sterischer Argumente favorisierte D3d‐Symmetrie verwirklicht ist. Der Hg—Si‐Bindungs‐abstand in 3 wurde zu 246.9(2)pm bestimmt und ist damit nicht nur kürzer als in den bislang untersuchten Disilylquecksilber‐Derivaten sondern auch um etwa 3 pm kürzer als die Cd—Si‐Bindung in 2 (250.4(1)pm). Die ermittelten Bindungsabstände und ‐winkel im Tris(trimethylsilyl)silyl‐Substituenten liegen im erwarteten Bereich und unterscheiden sich innerhalb der homologen Reihe nicht signifikant voneinander.
Arnold, John; Don Tilley; Rheingold, Arnold L., Inorganic Chemistry, 1987, vol. 26, # 13, p. 2106 - 2109
作者:Arnold, John、Don Tilley、Rheingold, Arnold L.、Geib, Steven J.