devices. Here, we report the design, synthesis, and characterization of a new series of thiazole–thiophene tetra- (1 and 2) and hexa-heteroaryl (3 and 4) co-oligomers, varied by core extension and regiochemistry, which are end-functionalized with electron-withdrawing perfluorohexyl substituents. These new semiconductors are found to exhibit excellent n-channel OFET transport with electron mobilities (μe)
尽管它们具有良好的电子和结构特性,但是
噻唑基构建基块的合成开发和将其掺入n型半导体中已经落后于其他π缺陷构建基块。由于
噻唑在π共轭体系中的插入对合成的要求更高,因此持续不断的研究工作对于强调其在电子传输设备中的性能至关重要。在这里,我们报告了一系列新的
噻唑-
噻吩四-(1和2)和六-杂芳基(3和4)的设计,合成和表征)共聚低聚物,其随核心延伸和区域
化学变化而变化,并用吸电子的
全氟己基取代基进行末端官能化。这些新的半导体被发现表现出优异的Ñ声道OFET传输与电子迁移率(μ ë)高达1.30厘米2 /(V·S)(我上/我关> 10 6),用于膜2在室温下沉积。与先前的研究相反,我们在这里表明2,2'-联
噻唑可以成为高性能n通道半导体的非常实用的构建基块。另外,将2,2'-和5,5'-联
噻唑插入众所周知的六
噻吩骨架中在DFH-6T中,观察到3和4的电荷传输显着改善(从0.001–0.021 cm 2