介绍了一种制备
金属-半导体杂化纳米颗粒的合成方法,以及调节一次核与二次成核的比率以及在
金属纳米粒子种子上生长的半导体材料的形态的可能性。
金和
钴铂纳米粒子用作
金属种子,在其上生长CdS或CdSe。使用透射电子显微镜,吸收光谱(UV-vis)和粉末X射线衍射作为表征技术,
氯离子对成核类型(即次级或初级成核)以及形状的显着影响。观察到产生的异质结构。通过改变CdCl 2的量部分替代常用的
镉前体CdO打开对杆状,多臂,花状和子弹状结构的访问。结果表明,既不是纯CdO也不是纯CdCl 2作为前体,而只有二者的混合物才能获得这些结构。在本文中,深入研究了半导体生长过程中
氯离子浓度对
金属种子的影响。仔细表征了所得异质结构的形态,并提出了生长机理。此外,显示出该合成方法可以转移至各种
金属如
铂,
金和
钴铂的种子。