过量的电子附着在萘酰亚胺 (NI) 修饰的 12 聚体寡脱氧核苷酸 (ODN) 上,并通过监测脉冲辐解过程中 NI 自由基阴离子 (NI•-) 的瞬时吸收来研究 DNA 中的电子转移。根据eaq-与NI修饰ODN的反应,观察到NI•-瞬时吸收的形成。仅 25% 的 eaq- 与 NI 修饰的 ODN 发生反应,通过 NI•- 的瞬时吸收观察到,这对应于不超过三个碱基对上的电子转移,表明附着在 DNA 上的电子迁移率低。还通过含有 5-碘脱氧尿苷 (IU) 作为第二电子受体的 ODN 的 γ 辐射来研究 DNA 中的电子转移。DNA 中的电子转移是通过 NI 在 NI 和 IU 修饰的 ODN 的 γ 辐射分解过程中保护 NI 提供的 IU 脱卤来估计的,其中 NI 和 IU 之间的间距是不同的。通过在 NI 和...之间插入三个或四个 A-T 碱基对,保护效果变得非常低。
过量的电子附着在萘酰亚胺 (NI) 修饰的 12 聚体寡脱氧核苷酸 (ODN) 上,并通过监测脉冲辐解过程中 NI 自由基阴离子 (NI•-) 的瞬时吸收来研究 DNA 中的电子转移。根据eaq-与NI修饰ODN的反应,观察到NI•-瞬时吸收的形成。仅 25% 的 eaq- 与 NI 修饰的 ODN 发生反应,通过 NI•- 的瞬时吸收观察到,这对应于不超过三个碱基对上的电子转移,表明附着在 DNA 上的电子迁移率低。还通过含有 5-碘脱氧尿苷 (IU) 作为第二电子受体的 ODN 的 γ 辐射来研究 DNA 中的电子转移。DNA 中的电子转移是通过 NI 在 NI 和 IU 修饰的 ODN 的 γ 辐射分解过程中保护 NI 提供的 IU 脱卤来估计的,其中 NI 和 IU 之间的间距是不同的。通过在 NI 和...之间插入三个或四个 A-T 碱基对,保护效果变得非常低。