relative intensities of product ions as a function of exposure are measured for some of the reagent gases. The results from laser vaporization/Fourier transform mass spectrometry (FTMS) are compared to studies of silicon surface reactions using other experimental techniques and to some secondary ion mass spectrometry (SIMS) results.
摘要 将
硅表面暴露于多种反应气体,然后进行激光汽化,除了会产生清洁
硅表面典型的
硅簇离子 (Si+n) 分布之外,还会产生异常离子。这些离子的出现与
硅表面反应有关。已经研究了暴露于气体 NH3、XeF2、
CF3I、O2、NO、CH3OH、
H2O、
C2H4、D2 和
CH4 后
硅的激光汽化。对于某些反应气,测量了作为暴露函数的产物离子相对强度的变化。将激光汽化/傅里叶变换质谱 (FTMS) 的结果与使用其他实验技术的
硅表面反应研究以及一些二次离子质谱 (SIMS) 结果进行比较。