(HNBut)2(Cl)Si-Si(Cl)(HNBut)2 | 690973-76-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: (HNBut)2(Cl)Si-Si(Cl)(HNBut)2
• 英文别名: (HNBu^t)2(Cl)Si-Si(Cl)(HNBu^t)2；(ButNH)2ClSi-SiCl(HNBut)2
• CAS: 690973-76-3
• 化学式: C₁₆H₄₀Cl₂N₄Si₂
• 分子量: 415.597
• InChiKey: LREBDXSTRSSRAE-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  117-120 °C
• 沸点：
  388.7±25.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.984±0.06 g/cm3(Temp: 20 °C; Press: 760 Torr)(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.97
• 重原子数：
  24.0
• 可旋转键数：
  5.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  48.12
• 氢给体数：
  4.0
• 氢受体数：
  4.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  (HNBut)2(Cl)Si-Si(Cl)(HNBut)2 在 甲基锂 作用下， 以 hexanes 、 乙醚 为溶剂， 反应 1.0h， 以72%的产率得到(HNBu^t)2(HNNMe2)Si-Si(HNNMe2)(HNBu^t)2
  参考文献：
  名称：

  Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same

  摘要：

  这项发明涉及用于通过低温（例如，<550°C）化学气相沉积工艺形成含硅膜的硅前体组合物，用于制造超大规模集成电路器件和器件结构。这种硅前体组合物至少包括一种取代了至少一个烷基肼官能团且不含卤素取代物的硅烷或二硅烷衍生物。

  公开号：

  US20050080285A1
• 作为产物：
  描述：

  六氯乙硅烷 、 叔丁胺 以 乙醚 为溶剂， 以93%的产率得到(HNBut)2(Cl)Si-Si(Cl)(HNBut)2
  参考文献：
  名称：

  含氯 1,1,2,2-四氨基乙硅烷的合成、表征和热性能及其作为氮化硅薄膜化学气相沉积前体的潜力

  摘要：

  三种 Cl(RR'N)2Si-Si(NRR')2Cl 型含氯氨基乙硅烷（R = 烷基，R' = H 或 R）作为氮化硅 (SiNx) 的潜在化学气相沉积 (CVD) 前驱体薄膜已合成并通过 X 射线衍射表征；1H、13C 和 29Si NMR 光谱；和元素分析。它们是通过六氯乙硅烷 (Si2Cl6) 与过量液体胺在乙醚中通过一般的一步程序反应以高收率获得的。通过热重分析 (TGA) 评估它们的热性能，包括稳定性、挥发性、传输行为和蒸气压，以确认它们适用于 CVD 程序。SiNx 薄膜的沉积是通过热壁 CVD 反应器系统完成的，初步验证了这些化合物作为 CVD 前体的适用性。

  DOI：

  10.1002/ejic.201500493

文献信息

• Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films
  申请人：——

  公开号：US20040138489A1

  公开（公告）日：2004-07-15

  This invention relates to silicon precursor compositions for forming silicon-containing films by low temperature (e.g., <300° C.) chemical vapor deposition processes for fabrication of ULSI devices and device structures. Such silicon precursor compositions comprise at least one disilane derivative compound that is fully substituted with alkylamino and/or dialkylamino functional groups.

  这项发明涉及用于通过低温（例如，<300°C）化学气相沉积工艺形成硅含量薄膜的硅前体组合物，用于制造极端超大规模集成（ULSI）器件和器件结构。这种硅前体组合物包括至少一种全取代烷基胺基和/或二烷基胺基官能团的二硅烷衍生物化合物。
• Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride
  申请人：——

  公开号：US20040096582A1

  公开（公告）日：2004-05-20

  Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as low dielectric constant (k) thin films, high k gate silicates, low temperature silicon epitaxial films, and films containing silicon nitride (Si 3 N 4 ), siliconoxynitride (SiO x N y ) and/or silicon dioxide (SiO 2 ). The precursors of the invention are amenable to use in low temperature (e.g., <500° C.) chemical vapor deposition processes, for fabrication of ULSI devices and device structures.

  硅前体用于制造半导体器件中形成含硅薄膜，例如低介电常数（k）薄膜，高k栅极硅酸盐，低温硅外延膜和含有硅氮化物（Si3N4），硅氧氮化物（SiOxNy）和/或二氧化硅（SiO2）的薄膜。本发明的前体适用于低温（例如<500℃）化学气相沉积过程中使用，用于制造超大规模集成电路器件和器件结构。