Bis--dimethylmonoamino-silylamin | 17883-19-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: Bis--dimethylmonoamino-silylamin
• 英文别名: 1,1-Dimethyl-N,N-bis(trimethylsilyl)silanediamine；[[[amino(dimethyl)silyl]-trimethylsilylamino]-dimethylsilyl]methane
• CAS: 17883-19-1
• 化学式: C₈H₂₆N₂Si₃
• 分子量: 234.564
• InChiKey: WQQNRCGNWRVYBY-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  73-74 °C
• 沸点：
  82-83 °C(Press: 9 Torr)
• 密度：
  0.841±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.62
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  29.3
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Bis--dimethylmonoamino-silylamin 反应 5.0h， 以100%的产率得到1,1,1,3,3,5,5,5-Octamethyl-trisilazan
  参考文献：
  名称：

  CYCLIC GERMANIUM SILYLAMIDO PRECURSORS FOR GE-CONTAINING FILM DEPOSITIONS AND METHODS OF USING THE SAME

  摘要：

  在基底上形成含锗膜的方法包括以下步骤：将环状Ge(II)硅胺基前体的蒸气引入反应器，该反应器中放置有基底，并使用蒸发沉积方法将至少部分环状Ge(II)硅胺基前体沉积到基底上，以形成含锗膜。环状Ge(II)硅胺基前体是[SiMe3-(N—)—SiMe2-(N—)—SiMe3]Ge(II)或[tBu-(N—)—SiMe2-(N—)-tBu]Ge(II)。

  公开号：

  US20210032275A1
• 作为产物：
  描述：

  N-(chlorodimethylsilyl)-N,N-bis(trimethylsilyl)amine 在 sodium amide 作用下， 以 正戊烷 为溶剂， 以8.39 g的产率得到Bis--dimethylmonoamino-silylamin
  参考文献：
  名称：

  CYCLIC GERMANIUM SILYLAMIDO PRECURSORS FOR GE-CONTAINING FILM DEPOSITIONS AND METHODS OF USING THE SAME

  摘要：

  在基底上形成含锗膜的方法包括以下步骤：将环状Ge(II)硅胺基前体的蒸气引入反应器，该反应器中放置有基底，并使用蒸发沉积方法将至少部分环状Ge(II)硅胺基前体沉积到基底上，以形成含锗膜。环状Ge(II)硅胺基前体是[SiMe3-(N—)—SiMe2-(N—)—SiMe3]Ge(II)或[tBu-(N—)—SiMe2-(N—)-tBu]Ge(II)。

  公开号：

  US20210032275A1

文献信息

• Substituted trisilylamines. Part II. Reactions of amino- and hydroxysubstituted trisilylamines
  作者：R. P. Bush、N. C. Lloyd

  DOI：10.1039/j19690000257

  日期：——

  The pyrolytic rearrangement of amino-substituted trisilylamines to the isomeric trisilazanes is probably an intramolecular transamination. The pyrolysis of (Me3Si)2N·Si(Me2)NH2(I) gives (Me3Si)2N·Si(Me2)·NH·SiMe3 when an acid catalyst is present; and similarly (Me3Si)2N·Si(Me2)·OH (II) gives (Me3Si)2N·Si(Me2)·O·SiMe3. The silanol (II) reacts with bis(methylamino)dimethylsilane to give [(Me3Si)2N·Si(Me2)·O·]2SiMe2

  氨基取代的三甲硅烷基胺的热解重排为异构的三硅氮烷可能是分子内氨基转移。当存在酸催化剂时，（Me 3 Si）2 N·Si（Me 2）NH 2（I）的热解得到（Me 3 Si）2 N·Si（Me 2）·NH·SiMe 3。（Me 3 Si）2 N·Si（Me 2）·OH（II）同样得到（Me 3 Si）2 N·Si（Me 2）·O·SiMe 3。硅烷醇（II）与双（甲基氨基）二甲基硅烷反应生成[（Me 3 Si）2 N·Si（Me2）·O·] 2森达2，并用四甲基，得到（ME 3 Si）的2 N·的Si（ME 2）·O·森2 H.
• CYCLIC GERMANIUM SILYLAMIDO PRECURSORS FOR GE-CONTAINING FILM DEPOSITIONS AND METHODS OF USING THE SAME
  申请人：L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude

  公开号：US20210032275A1

  公开（公告）日：2021-02-04

  Methods for forming a Ge-containing film on a substrate comprise the steps of introducing a vapor of a cyclic Ge(II) silylamido precursor into a reactor having the substrate disposed therein and depositing at least part of the cyclic Ge(II) silylamido precursor onto the substrate to form the Ge-containing film using a vapor deposition method. The cyclic Ge(II) silylamido precursor is [SiMe 3 -(N—)—SiMe 2 -(N—)—SiMe 3 ]Ge(II) or [tBu-(N—)—SiMe 2 -(N—)-tBu]Ge(II).

  在基底上形成含锗膜的方法包括以下步骤：将环状Ge(II)硅胺基前体的蒸气引入反应器，该反应器中放置有基底，并使用蒸发沉积方法将至少部分环状Ge(II)硅胺基前体沉积到基底上，以形成含锗膜。环状Ge(II)硅胺基前体是[SiMe3-(N—)—SiMe2-(N—)—SiMe3]Ge(II)或[tBu-(N—)—SiMe2-(N—)-tBu]Ge(II)。