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dimethyl[tri(tert-butyl)silyl]germyllithium | 1231776-30-9

中文名称
——
中文别名
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英文名称
dimethyl[tri(tert-butyl)silyl]germyllithium
英文别名
Me2(tBu3Si)GeLi
dimethyl[tri(tert-butyl)silyl]germyllithium化学式
CAS
1231776-30-9
化学式
C14H33GeLiSi
mdl
——
分子量
309.033
InChiKey
GHFQIPARFLQIGT-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    5.29
  • 重原子数:
    17.0
  • 可旋转键数:
    1.0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    0.0
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    0.0

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    参考文献:
    名称:
    Synthesis, Structure and Bonding in Triorganogermyl-alanes and Triphenylgermyl-aluminates
    摘要:
    在乙醚/THF中,三苯基锗基锂与Al2Me6没有反应形成[(Ph3Ge)AlMe3]- Li(THF)n。向该溶液中加入TMEDA生成结晶的Ph3GeLi(THF)TMEDA。在乙醚/己烷溶液中,Ph3GeLi与H3Al-NMe3在乙醚/THF中反应生成[Ph3GeAlH3]Li(THF)4,而与Me2AlCl反应导致Ph3GeAlMe2(OEt2)和三锗基铝酸盐[(Ph3Ge)3AlMe]Li。通过在THF存在下,LiGePh3与AlH2Cl(OEt2)反应得到类似的铝酸盐[(Ph3Ge)3AlH]Li(THF)3。预期体积庞大的双(四甲基哌啶基)氯化铝会与Ph3GeLi反应生成锗基氯化铝tmp2AlGePh3,但仅在使用乙醚作为溶剂时观察到,而在Et2O/甲苯混合物中只能分离出Ph8Ge3。通过使用tBu3Si)Me2Ge基团代替Ph3Ge基团增加锗基锂化合物的立体位阻,导致了生成第一个结构表征的锗基氯化铝(tBu3Si)Me2Ge- Al(tmp)2,具有平面三配位铝中心。X射线结构测定显示,锗基铝酸盐的Ge-Al键比锗基氯化铝的Ge-Al键短,尽管配位数较低。
    DOI:
    10.1515/znb-2009-11-1220
  • 作为产物:
    描述:
    Me2(tBu3Si)GeCllithium 在 naphthalene 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 生成 dimethyl[tri(tert-butyl)silyl]germyllithium
    参考文献:
    名称:
    Synthesis, Structure and Bonding in Triorganogermyl-alanes and Triphenylgermyl-aluminates
    摘要:
    在乙醚/THF中,三苯基锗基锂与Al2Me6没有反应形成[(Ph3Ge)AlMe3]- Li(THF)n。向该溶液中加入TMEDA生成结晶的Ph3GeLi(THF)TMEDA。在乙醚/己烷溶液中,Ph3GeLi与H3Al-NMe3在乙醚/THF中反应生成[Ph3GeAlH3]Li(THF)4,而与Me2AlCl反应导致Ph3GeAlMe2(OEt2)和三锗基铝酸盐[(Ph3Ge)3AlMe]Li。通过在THF存在下,LiGePh3与AlH2Cl(OEt2)反应得到类似的铝酸盐[(Ph3Ge)3AlH]Li(THF)3。预期体积庞大的双(四甲基哌啶基)氯化铝会与Ph3GeLi反应生成锗基氯化铝tmp2AlGePh3,但仅在使用乙醚作为溶剂时观察到,而在Et2O/甲苯混合物中只能分离出Ph8Ge3。通过使用tBu3Si)Me2Ge基团代替Ph3Ge基团增加锗基锂化合物的立体位阻,导致了生成第一个结构表征的锗基氯化铝(tBu3Si)Me2Ge- Al(tmp)2,具有平面三配位铝中心。X射线结构测定显示,锗基铝酸盐的Ge-Al键比锗基氯化铝的Ge-Al键短,尽管配位数较低。
    DOI:
    10.1515/znb-2009-11-1220
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