由于多
铁性薄膜中的磁电耦合在新一代设备中极为实际的应用,因此已将其高度重视。在此,使用简单的冲压工艺制造了[(n -C 3 H 7)4 N] [Fe III Fe II(dto)3 ](1 ; dto = C 2 O 2 S 2)的膜。正如我们的实验结果所揭示的那样,Fe II和Fe III之间的电子跳跃会在50至300 K的宽温度范围内产生面内
铁电网站。通过
铁电观察化合物[(n -C 3 H 7)4 N] [Fe III Zn II(dto)3 ](2 ; dto = C 2 O 2 S 2)进一步证实了这一机理。II离子被非磁性
金属Zn II离子替代,没有明显的
铁电极化。然而,
铁电和磁性都与磁性Fe离子有关,这意味着1中的强磁电耦合。。通过压电响应力显微镜(P
FM),通过在平面磁场下操纵
铁电畴来实现磁电耦合的观察。目前的工作不仅为基于分子的电子
铁电/磁电材料的设计提供了新的见识,而且为