作为专注于电子材料前体设计和合成的项目的一部分,作者和其他人最近展示了使用单源分子来生长 III/V 族化合物半导体,例如 GaAs 和 InP。他们用于 III/V 半导体的方法是通过强的双中心双电子键将两种元素结合成同一分子,并采用易于分解过程(例如 β}-氢消除)的
配体。这种分子的例子是 (Mesub 2}-Ga(mu}-t-Busub 2}As))sub 2} 和 (Mesub 2}In(mu}-t-Busub 2}P))sub 2}。他们还寻求获得 II/V 半导体的途径,例如用于掺杂光电的 Znsub 3}Psub 2}、Cdsub 3}Psub 2} 和 CdPsub 2}。作者最近发现,反应性、单核二元
磷基化合物 Ga(t-Busub 2}P)sub 3} 可作为主要基团和过渡
金属物种的平滑
磷基转移试剂。作者在此描述了 1-3 的合成以及