silicon monosulfide | 12504-41-5

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 类金属有机物
• 英文名称: silicon monosulfide
• 英文别名: silicon sulfide；Sulfanylidenesilicon
• CAS: 12504-41-5
• 化学式: SSi
• 分子量: 60.1515
• InChiKey: DWFFKGPZNGKUPH-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  940°C
• 密度：
  1.850
• 溶解度：
  与H2O反应

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.27
• 重原子数：
  2
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  32.1
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  silicon monosulfide 、 羰基硫 以 solid matrix 为溶剂， 生成 硫化硅(IV)
  参考文献：
  名称：

  拉曼光谱和基体分离分子二硫化硅键合的讨论

  摘要：

  高温的 SiS 分子与 S 原子之间的反应可以在固体甲烷基质中产生 SiS2 分子，其特征是在拉曼光谱中 514 cm-1 处发生对称伸缩振荡。在振动光谱结果和量子化学计算结果的基础上，与类似的硫化碳相比，讨论了 SiS2 和 SiS 在多重键方面的键合情况。基体分离的二硫化硅分子的拉曼光谱和键合 通过高温分子 SiS 和甲烷基体分子 SiS2 中的 Si 原子之间的反应，获得了在 514 cm – 1 in 处通过对称拉伸模式表征的拉曼光谱。

  DOI：

  10.1002/(sici)1521-3749(199907)625:7<1097::aid-zaac1097>3.0.co;2-3
• 作为产物：
  描述：

  羰基硫 、 硅烷 以 gaseous matrix 为溶剂， 生成 silicon monosulfide
  参考文献：
  名称：

  采用SiS（一个的形成相关联的动态constrints 3 Σ +从Si-OCS化学发光反应）

  摘要：

  所述Si-OCS反应从激发电子一，其特征在于化学发光发射3 Σ +和b 3个的SiS的↶状态。的一个的振动人口分布3 Σ +状态被发现是几乎在玻尔兹曼645 K.与此相反，对于B的振动分布3 ↶状态看起来从玻尔兹曼远。甲surprisal分析表明，动态约束影响的振动量子能级的人口3 Σ +状态。这种限制似乎是由于Si-OCS反应无法将硅原子和OCS分子的内能以及这些反应物的相对转化能转化为SiS内产物激发。

  DOI：

  10.1016/0301-0104(82)88074-9

文献信息

• Difluorosilanethione F2Si=S by Flash Vacuum Thermolysis of (F3Si)2S and by Reaction of SiS with F2 – Matrix Studies and Ab initio Calculations
  作者：Helmut Beckers、Jürgen Breidung、Hans Bürger、Ralf Köppe、Carsten Kötting、Wolfram Sander、Hansgeorg Schnöckel、Walter Thiel

  DOI：10.1002/(sici)1099-0682(199911)1999:11<2013::aid-ejic2013>3.0.co;2-k

  日期：1999.11

  in an Ar matrix. Furthermore, 1 has been obtained by co-deposition of SiS and F2/Ar and by pyrolysis of a matrix-isolated SiS2–XeF2 complex under cryogenic conditions. All six vibrational fundamentals of 1 have been observed in the matrix IR spectrum. Ab initio calculations at the MP2 and CCSD(T) levels using large basis sets have been performed. These calculations have guided the detection of 1 and

  二氟硅烷硫酮 F2Si=S (1) 已通过 (F3Si)2S 在 ≥ 500 °C 下的快速真空热解合成并被困在 Ar 基质中。此外，通过 SiS 和 F2/Ar 的共沉积以及在低温条件下热解基质分离的 SiS2-XeF2 复合物，已经获得了 1。在矩阵红外光谱中观察到 1 的所有六个振动基础。已经使用大型基组在 MP2 和 CCSD(T) 级别进行了从头算计算。这些计算指导了 1 的检测和振动分配。具有 C2v 对称性的 1 结构的最佳估计是：r(Si=S) 191.1(1) pm, r(SiF) 156.1(1) pm, ki(FSiF) 103.3(2)°。
• Diode laser measurement of the infrared spectrum of silicon monosulfide
  作者：Helmut Birk、Harold Jones

  DOI：10.1016/0009-2614(90)85577-y

  日期：1990.12

  29Si32S:4.4%, 30Si32S: 2.9%) in their ground electronic states (1Σ) have been measured using a diode laser spectrometer. An accurate set of Dunham parameters, mass-independent parameters and mass scaling coefficients were calculated. The coefficients of the Dunham potential of SiS were also accurately determined using a direct fitting procedure.

  地电子中四种自然形态的单硫化硅同位素形式的红外光谱（28 Si 32 S：87％，28 Si 34 S：3.8％，29 Si 32 S：4.4％，30 Si 32 S：2.9％）状态（1 Σ）已经使用的二极管激光器光谱仪测量。计算了一组准确的Dunham参数，与质量无关的参数和质量缩放系数。SiS的邓纳姆势系数也可以使用直接拟合程序精确确定。
• Koeppe, R.; Schnoeckel, H., Zeitschrift fur Anorganische und Allgemeine Chemie
  作者：Koeppe, R.、Schnoeckel, H.

  DOI：——

  日期：——