dimethylhexylmethoxysilane | 25270-15-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: dimethylhexylmethoxysilane
• 英文别名: Hexyl-methoxy-dimethylsilane
• CAS: 25270-15-9
• 化学式: C₉H₂₂OSi
• 分子量: 174.359
• InChiKey: MLOOSKOYXCDAIJ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  71 °C(Press: 10 Torr)
• 密度：
  0.795±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.42
• 重原子数：
  11
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  9.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  甲醇 、 二甲基己基氯硅烷 以 四氢呋喃 为溶剂， 以99%的产率得到dimethylhexylmethoxysilane
  参考文献：
  名称：

  可印刷的交联聚合物混合电介质。设计策略、合成、微观结构和电气特性，以有机场效应晶体管作为试验台

  摘要：

  我们在此报告了用于有机场效应晶体管 (OFET) 的优化交联聚合物共混物 (CPB) 电介质的合成和介电性能。新型硅烷交联剂能够合成具有优异质量和可调厚度（从 10 到大约 500 nm）的 CPB 薄膜，通过旋涂和凹版印刷制造。式 X 3Si-R-SiX 3 (R = -C 6H 12- 和 X = Cl、OAc、NMe 2、OMe 或 R = -C 2H 4-OC 2H 4- 和 X = OAc) 的硅烷试剂表现出与含羟基底物的可调反应性。通过将 X 3Si-R-SiX 3 与聚（4-乙烯基）苯酚 (PVP) 混合制成的介电薄膜需要非常低的固化温度（大约 110 摄氏度），并能牢固地粘附在各种 FET 栅极接触材料上，例如 n ( +)-Si、ITO 和 Al。CPB 电介质具有出色的绝缘性能（泄漏电流密度为 10 (-7) 大约 10 (-8) A cm (-2) at 2.0 MV/cm）和可调电容值（从

  DOI：

  10.1021/ja801047g

文献信息

• Printable Cross-Linked Polymer Blend Dielectrics. Design Strategies, Synthesis, Microstructures, and Electrical Properties, with Organic Field-Effect Transistors as Testbeds
  作者：Choongik Kim、Zhiming Wang、Hyuk-Jin Choi、Young-Geun Ha、Antonio Facchetti、Tobin J. Marks

  DOI：10.1021/ja801047g

  日期：2008.5.1

  We report here the synthesis and dielectric properties of optimized, cross-linked polymer blend (CPB) dielectrics for application in organic field-effect transistors (OFETs). Novel silane cross-linking reagents enable the synthesis of CPB films having excellent quality and tunable thickness (from 10 to approximately 500 nm), fabricated both by spin-coating and gravure-printing. Silane reagents of the

  我们在此报告了用于有机场效应晶体管 (OFET) 的优化交联聚合物共混物 (CPB) 电介质的合成和介电性能。新型硅烷交联剂能够合成具有优异质量和可调厚度（从 10 到大约 500 nm）的 CPB 薄膜，通过旋涂和凹版印刷制造。式 X 3Si-R-SiX 3 (R = -C 6H 12- 和 X = Cl、OAc、NMe 2、OMe 或 R = -C 2H 4-OC 2H 4- 和 X = OAc) 的硅烷试剂表现出与含羟基底物的可调反应性。通过将 X 3Si-R-SiX 3 与聚（4-乙烯基）苯酚 (PVP) 混合制成的介电薄膜需要非常低的固化温度（大约 110 摄氏度），并能牢固地粘附在各种 FET 栅极接触材料上，例如 n ( +)-Si、ITO 和 Al。CPB 电介质具有出色的绝缘性能（泄漏电流密度为 10 (-7) 大约 10 (-8) A cm (-2) at 2.0 MV/cm）和可调电容值（从