bis-tert-butylamino-chloro-silane | 18291-26-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: bis-tert-butylamino-chloro-silane
• 英文别名: Bis-tert-butylamino-chlor-silan；di(tert-butylamino)(chloro)silane；N-[(tert-butylamino)-chlorosilyl]-2-methylpropan-2-amine
• CAS: 18291-26-4
• 化学式: C₈H₂₁ClN₂Si
• 分子量: 208.807
• InChiKey: GRGONZONEITZLG-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  74-75 °C(Press: 12 Torr)
• 密度：
  0.9261 g/cm3

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.72
• 重原子数：
  12
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  24.1
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  bis-tert-butylamino-chloro-silane 、 叔丁基锂 以 正己烷 为溶剂， 以60%的产率得到η-(N,N-t-butyl)-di(t-butylamino)cyclodisilane
  参考文献：
  名称：

  Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride

  摘要：

  硅前体用于制造半导体器件中形成含硅薄膜，例如低介电常数（k）薄膜，高k栅极硅酸盐，低温硅外延膜和含有硅氮化物（Si3N4），硅氧氮化物（SiOxNy）和/或二氧化硅（SiO2）的薄膜。本发明的前体适用于低温（例如<500℃）化学气相沉积过程中使用，用于制造超大规模集成电路器件和器件结构。

  公开号：

  US20040096582A1
• 作为产物：
  描述：

  叔丁胺 在 三氯硅烷 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 反应 2.5h， 以26%的产率得到bis-tert-butylamino-chloro-silane
  参考文献：
  名称：

  シリコン含有薄膜形成用シリコン含有化合物、及びシリコン含有薄膜の形成方法

  摘要：

  题目：提供一种用于形成高质量含有硅薄膜的含有硅化合物，使用化学气相沉积法，成膜温度低于500℃，副产物生成量少。 解决方法：在使用化学气相沉积法形成含有硅薄膜时，使用具有特定结构的氯氨基硅烷化合物作为硅含量化合物。 选择图：无。

  公开号：

  JP2020188100A

文献信息

• ハロゲン化アミノシラン化合物、薄膜形成用組成物およびシリコン含有薄膜
  申请人：大陽日酸株式会社

  公开号：JP2020186193A

  公开（公告）日：2020-11-19

  【課題】化学気相成長法を用いたシリコン含有薄膜の形成に適用可能な、新規な原料化合物を提供する。【解決手段】下式１または下式２で表されるハロゲン化アミノシラン化合物。［化１］［化２］【選択図】なし

  提供适用于利用化学气相沉积法形成含硅薄膜的新型原料化合物。解决方案是以下式1或以下式2所示的卤代氨基硅烷化合物。【化1】【化2】。【选择图】无。
• Tansjoe, Acta Chemica Scandinavica (1947), 1959, vol. 13, p. 29,32
  作者：Tansjoe

  DOI：——

  日期：——