bis-tert-butylamino-chloro-silane | 18291-26-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: bis-tert-butylamino-chloro-silane
• 英文别名: Bis-tert-butylamino-chlor-silan；di(tert-butylamino)(chloro)silane；N-[(tert-butylamino)-chlorosilyl]-2-methylpropan-2-amine
• CAS: 18291-26-4
• 化学式: C₈H₂₁ClN₂Si
• 分子量: 208.807
• InChiKey: GRGONZONEITZLG-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  74-75 °C(Press: 12 Torr)
• 密度：
  0.9261 g/cm3

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.72
• 重原子数：
  12
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  24.1
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  bis-tert-butylamino-chloro-silane 、 叔丁基锂 以 正己烷 为溶剂， 以60%的产率得到η-(N,N-t-butyl)-di(t-butylamino)cyclodisilane
  参考文献：
  名称：

  Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride

  摘要：

  硅前体用于制造半导体器件中形成含硅薄膜，例如低介电常数（k）薄膜，高k栅极硅酸盐，低温硅外延膜和含有硅氮化物（Si3N4），硅氧氮化物（SiOxNy）和/或二氧化硅（SiO2）的薄膜。本发明的前体适用于低温（例如<500℃）化学气相沉积过程中使用，用于制造超大规模集成电路器件和器件结构。

  公开号：

  US20040096582A1
• 作为产物：
  描述：

  叔丁胺 在 三氯硅烷 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 反应 2.5h， 以26%的产率得到bis-tert-butylamino-chloro-silane
  参考文献：
  名称：

  シリコン含有薄膜形成用シリコン含有化合物、及びシリコン含有薄膜の形成方法

  摘要：

  题目：提供一种用于形成高质量含有硅薄膜的含有硅化合物，使用化学气相沉积法，成膜温度低于500℃，副产物生成量少。 解决方法：在使用化学气相沉积法形成含有硅薄膜时，使用具有特定结构的氯氨基硅烷化合物作为硅含量化合物。 选择图：无。

  公开号：

  JP2020188100A

文献信息

• ハロゲン化アミノシラン化合物、薄膜形成用組成物およびシリコン含有薄膜
  申请人：大陽日酸株式会社

  公开号：JP2020186193A

  公开（公告）日：2020-11-19

  【課題】化学気相成長法を用いたシリコン含有薄膜の形成に適用可能な、新規な原料化合物を提供する。【解決手段】下式１または下式２で表されるハロゲン化アミノシラン化合物。［化１］［化２］【選択図】なし

  提供适用于利用化学气相沉积法形成含硅薄膜的新型原料化合物。解决方案是以下式1或以下式2所示的卤代氨基硅烷化合物。【化1】【化2】。【选择图】无。
• Tansjoe, Acta Chemica Scandinavica (1947), 1959, vol. 13, p. 29,32
  作者：Tansjoe

  DOI：——

  日期：——
• Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride
  申请人：——

  公开号：US20040096582A1

  公开（公告）日：2004-05-20

  Silicon precursors for forming silicon-containing films in the manufacture of semiconductor devices, such as low dielectric constant (k) thin films, high k gate silicates, low temperature silicon epitaxial films, and films containing silicon nitride (Si 3 N 4 ), siliconoxynitride (SiO x N y ) and/or silicon dioxide (SiO 2 ). The precursors of the invention are amenable to use in low temperature (e.g., <500° C.) chemical vapor deposition processes, for fabrication of ULSI devices and device structures.

  硅前体用于制造半导体器件中形成含硅薄膜，例如低介电常数（k）薄膜，高k栅极硅酸盐，低温硅外延膜和含有硅氮化物（Si3N4），硅氧氮化物（SiOxNy）和/或二氧化硅（SiO2）的薄膜。本发明的前体适用于低温（例如<500℃）化学气相沉积过程中使用，用于制造超大规模集成电路器件和器件结构。
• シリコン含有薄膜形成用シリコン含有化合物、及びシリコン含有薄膜の形成方法
  申请人：大陽日酸株式会社

  公开号：JP2020188100A

  公开（公告）日：2020-11-19

  【課題】化学気相成長法を用い、５００℃未満の成膜温度で良質なシリコン含有薄膜を形成可能であり、副生成物の生成量が少ないシリコン含有薄膜形成用シリコン含有化合物を提供する。【解決手段】化学気相成長法によってシリコン含有薄膜を形成する際、特定の構造を有するクロロアミノシラン化合物をシリコン含有化合物として用いる。【選択図】なし

  题目：提供一种用于形成高质量含有硅薄膜的含有硅化合物，使用化学气相沉积法，成膜温度低于500℃，副产物生成量少。 解决方法：在使用化学气相沉积法形成含有硅薄膜时，使用具有特定结构的氯氨基硅烷化合物作为硅含量化合物。 选择图：无。