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(2E,6E)-2,6-bis((5-bromothiophen-2-yl)methylene)cyclohexanone

中文名称
——
中文别名
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英文名称
(2E,6E)-2,6-bis((5-bromothiophen-2-yl)methylene)cyclohexanone
英文别名
2,6-Bis[(5-bromo-2-thienyl)methylene]cyclohexanone;(2E,6E)-2,6-bis[(5-bromothiophen-2-yl)methylidene]cyclohexan-1-one
(2E,6E)-2,6-bis((5-bromothiophen-2-yl)methylene)cyclohexanone化学式
CAS
——
化学式
C16H12Br2OS2
mdl
——
分子量
444.211
InChiKey
TVEAESGOBIRZPF-GFULKKFKSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
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  • 反应信息
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    6.5
  • 重原子数:
    21
  • 可旋转键数:
    2
  • 环数:
    3.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.19
  • 拓扑面积:
    73.6
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    3

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    (2E,6E)-2,6-bis((5-bromothiophen-2-yl)methylene)cyclohexanone苯肼乙醇 为溶剂, 以96%的产率得到(E)-3-(5-bromothiophen-2-yl)-7-((5-bromothiophen-2-yl)methylene)-2-phenyl-3,3a,4,5,6,7-hexahydro-2H-indazole
    参考文献:
    名称:
    使用Stille和直接芳基化方法在光电应用中生长基于噻吩的低聚物
    摘要:
    钯催化的斯蒂勒偶联反应被广泛用于制备官能化的噻吩基聚合物。此外,通过直接CH芳基化的缩聚反应可产生中等收率的交替共聚物。在本工作中,我们报告了具有刚性环烷酮和新型hexhydro-2 H的噻吩基化合物的合成和光电性能-吲唑间隔基之间。X射线衍射分析显示了具有宽侧链结晶度的合成材料的半结晶性质。合成材料的带隙能已通过光学和电化学方法实验获得,理论上通过计算研究获得。开孔Z扫描结果证实了这些材料具有光学限制器(NLO)的能力,而光致发光发射特性和肖特基二极管特性则表明了它们在聚合物发光二极管(PLED)中的应用前景。具有六氢-2 H-吲唑间隔基的聚合物似乎是光电子应用的有前途的候选者。
    DOI:
    10.1016/j.dyepig.2018.06.013
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文献信息

  • Growth of thiophene based oligomers using Stille and direct arylation methods for optoelectronic applications
    作者:Nithya Chakingal、Anand B. Puthirath、M.V. Mahesh Kumar、Abhilash Ayyappan、S. Jayalekshmi、P.A. Unnikrishnan、Sreedharan Prathapan
    DOI:10.1016/j.dyepig.2018.06.013
    日期:2018.12
    via direct C-H arylation produces alternating copolymers in moderate yields. In the present work, we report the synthesis and optoelectronic properties of thiophene based compounds having rigid cycloalkanone and a novel hexhydro-2H-indazole spacers in between. X-ray diffraction analysis shows the semi-crystalline nature of the synthesized materials with extensive side chain crystallinity. Band-gap
    钯催化的斯蒂勒偶联反应被广泛用于制备官能化的噻吩基聚合物。此外,通过直接CH芳基化的缩聚反应可产生中等收率的交替共聚物。在本工作中,我们报告了具有刚性环烷酮和新型hexhydro-2 H的噻吩基化合物的合成和光电性能-吲唑间隔基之间。X射线衍射分析显示了具有宽侧链结晶度的合成材料的半结晶性质。合成材料的带隙能已通过光学和电化学方法实验获得,理论上通过计算研究获得。开孔Z扫描结果证实了这些材料具有光学限制器(NLO)的能力,而光致发光发射特性和肖特基二极管特性则表明了它们在聚合物发光二极管(PLED)中的应用前景。具有六氢-2 H-吲唑间隔基的聚合物似乎是光电子应用的有前途的候选者。
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