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2-(5-Hexylthiophen-2-yl)-5-[5-[5-(5-hexylthiophen-2-yl)-1-methylpyrrol-2-yl]thiophen-2-yl]-1-methylpyrrole | 1117953-29-3

中文名称
——
中文别名
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英文名称
2-(5-Hexylthiophen-2-yl)-5-[5-[5-(5-hexylthiophen-2-yl)-1-methylpyrrol-2-yl]thiophen-2-yl]-1-methylpyrrole
英文别名
2-(5-hexylthiophen-2-yl)-5-[5-[5-(5-hexylthiophen-2-yl)-1-methylpyrrol-2-yl]thiophen-2-yl]-1-methylpyrrole
2-(5-Hexylthiophen-2-yl)-5-[5-[5-(5-hexylthiophen-2-yl)-1-methylpyrrol-2-yl]thiophen-2-yl]-1-methylpyrrole化学式
CAS
1117953-29-3
化学式
C34H42N2S3
mdl
——
分子量
574.919
InChiKey
IEJJGRYCYXQGSY-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
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  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    10.9
  • 重原子数:
    39
  • 可旋转键数:
    14
  • 环数:
    5.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.41
  • 拓扑面积:
    94.6
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    3

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    4,4'-(thiophene-2,5-diyl)bis(1-(5-hexylthiophen-2-yl)butane-1,4-dione) 、 甲胺溶剂黄146 作用下, 以 为溶剂, 反应 24.0h, 以85%的产率得到2-(5-Hexylthiophen-2-yl)-5-[5-[5-(5-hexylthiophen-2-yl)-1-methylpyrrol-2-yl]thiophen-2-yl]-1-methylpyrrole
    参考文献:
    名称:
    端基为己基封端的噻吩-吡咯混合低聚物的合成
    摘要:
    合成了由两个末端的五个和六个杂环和己基取代基组成的混合噻吩-N-甲基吡咯低聚物,并研究了它们的结构,电子和场效应性质。这些低聚物在FET器件上表现为良好的p型半导体,具有接近线性结构的混合六聚物显示出比具有香蕉型五聚体的更高的空穴迁移率(5.3×10 -2  cm 2  V -1  s -1)。结构体。
    DOI:
    10.1016/j.tetlet.2008.11.061
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文献信息

  • Synthesis of thiophene–pyrrole mixed oligomers end-capped with hexyl group for field-effect transistors
    作者:Mika Fujii、Tohru Nishinaga、Masahiko Iyoda
    DOI:10.1016/j.tetlet.2008.11.061
    日期:2009.2
    Mixed thiophene–N-methylpyrrole oligomers composed of the five and six heterocycles and hexyl substituents at both ends were synthesized, and their structural, electronic, and field-effect properties were investigated. These oligomers behaved as good p-type semiconductors on FET devices and the mixed hexamer with a nearly linear structure showed higher hole mobility (5.3 × 10−2 cm2 V−1 s−1) than that
    合成了由两个末端的五个和六个杂环和己基取代基组成的混合噻吩-N-甲基吡咯低聚物,并研究了它们的结构,电子和场效应性质。这些低聚物在FET器件上表现为良好的p型半导体,具有接近线性结构的混合六聚物显示出比具有香蕉型五聚体的更高的空穴迁移率(5.3×10 -2  cm 2  V -1  s -1)。结构体。
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