名称:
氟化噻吩基合成子:1,4-二烷氧基苯与氟化二噻吩并2,1,3-苯并噻二唑的直接杂芳基聚合
摘要:
沿着共轭聚合物主链掺入氟原子是一种有效的策略,可调节基于施主-受主的共聚物的电光性能。我们在这里报告了一种有效的合成和纯化新的单氟化噻吩衍生物的方法,用于合成氟化二噻吩并苯并噻二唑(DTBT)共聚单体。观察到直接(杂)芳基化聚合(DHAP)的反应性和区域选择性根据DTBT部分上氟原子的量和位置而改变。实际上,聚合时间从66小时(对于非氟化的DTBT,M1)变为仅11分钟(对于四氟化的DTBT,M2))。除增强反应性外,DTBT部分侧翼噻吩的氟化程度还调节了电光性能,降低了带隙并稳定了电离能级。实际上,P1(具有非氟化的侧基噻吩)的带隙为1.73 eV,电离能(IE)为4.96 eV,而P4的带隙为1.65 eV,IE为5.20 eV (氟原子朝向1,4-烷氧基亚苯基部分)。
DOI:
10.1021/acs.macromol.7b00905