已制备了在6,12位带有芳基取代基的熔融多环茚并[1,2- b ]芴衍生物,作为潜在的抗芳族20π电子系统。它们显示出在可见光区域的强吸收性和两性氧化还原特性。X射线晶体结构分析揭示了醌型分子结构,表明醌型单元的键长取决于芳基取代基。而核独立的化学位移NICS(1)计算表明s的抗芳香性-茚并二烯核,其稳定性高于取代并苯衍生物。具有二氟苯基或蒽基的衍生物在溶液中是稳定的。气相沉积薄膜在场效应晶体管器件中显示出双极性载流子传输。
Fused polycyclic indeno[1,2‐b]fluorenederivatives with aryl substituents at the 6,12‐positions have been prepared as a potential antiaromatic 20π electronic system. They showed strong absorptions in the visible region and amphoteric redox properties. The quinoid‐type molecular structures were revealed by X‐ray crystal‐structure analysis, which indicated that the bond lengths of the quinoid unit depend
已制备了在6,12位带有芳基取代基的熔融多环茚并[1,2- b ]芴衍生物,作为潜在的抗芳族20π电子系统。它们显示出在可见光区域的强吸收性和两性氧化还原特性。X射线晶体结构分析揭示了醌型分子结构,表明醌型单元的键长取决于芳基取代基。而核独立的化学位移NICS(1)计算表明s的抗芳香性-茚并二烯核,其稳定性高于取代并苯衍生物。具有二氟苯基或蒽基的衍生物在溶液中是稳定的。气相沉积薄膜在场效应晶体管器件中显示出双极性载流子传输。