13-benzyl-1,5,9-triazatricyclo<7.3.1.0^5,13>tridecane | 173449-39-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 二嗪烷类
• 英文名称: 13-benzyl-1,5,9-triazatricyclo<7.3.1.0^5,13>tridecane
• 英文别名: 13-benzyl-1,5,9-triazatricyclo[7.3.1.0(5,13)]tridecane；13-Benzyl-1,5,9-triazatricyclo[7.3.1.05,13]tridecane
• CAS: 173449-39-3
• 化学式: C₁₇H₂₅N₃
• 分子量: 271.406
• InChiKey: VCQIUHHPKXXEAU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.8
• 重原子数：
  20
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.65
• 拓扑面积：
  9.7
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  13-benzyl-1,5,9-triazatricyclo<7.3.1.0^5,13>tridecane 、 copper dichloride 以 二氯甲烷 为溶剂， 以70%的产率得到dichloro(13-benzyl-1,5,9-triazatricyclo[7.3.1.0(5,13)]tridecane)copper(II)
  参考文献：
  名称：

  Koehn, Randolf D.; Seifert, Guido; Kociok-Koehn, Gabriele, Chemische Berichte, 1996, vol. 129, # 1, p. 21 - 24

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  1,5,9-triazatricyclo<7.3.1.0^5,13>tridecylium bromide 以 水 、 甲苯 为溶剂， 反应 72.0h， 生成 13-benzyl-1,5,9-triazatricyclo<7.3.1.0^5,13>tridecane
  参考文献：
  名称：

  Koehn, Randolf D.; Seifert, Guido; Kociok-Koehn, Gabriele, Chemische Berichte, 1996, vol. 129, # 1, p. 21 - 24

  摘要：

  DOI：

文献信息

• The chemistry of 1,3,5-triazacyclohexane complexes 5: cationic zinc(II) alkyl complexes of N-alkylated 1,3,5-triazacyclohexanes and 13-benzyl-1,5,9-triazatricyclo[7.3.1.05,13]-tridecane
  作者：Matthias Haufe、Randolf D. Köhn、Roman Weimann、Guido Seifert、Dieter Zeigan

  DOI：10.1016/0022-328x(96)06271-7

  日期：1996.8

  Diethylzinc reacts with hydroperchlorates of N-alkylated 1,3,5-triazacyclohexanes (R(3)TAC; R = methyl (Me), benzyl (Bz), isopropyl (Pr-i)) and with the hydrotetrafluoroborate of 1,3,5-tris-(para-fluorobenzyl)-1,3,5-triazacyclohexane (FBz(3)TAC) to give the corresponding cationic zinc ethyl complexes [(R(3)TAC)Zn(Et)][X] (X = ClO4-, BF4-). Similar complexes were obtained from diethylzinc treated with [HNMe(2)Ph][BF4] or [HNMe(2)Ph][B(C6F5)(4)](Et(2)O) in the presence of R(3)TAC (R = Bz, FBz, s-1-phenylethyl (s-PhMeCH)). A product of decomposition of [(Bz(3)TAC)Zn(Et)][ClO4] was analyzed by X-ray diffraction. The structures of [(s-PhMeCH}(3)TAC)Zn(Et)][BF4] and [(FBz(3)TAC)Zn(Et)][BF4] were estimated using nuclear Overhauser enhancement spectroscopy. Protonolysis of diethylzinc with [HNMe(2)Ph][BF4] in the presence of 13-benzyl-1,5,9-triazatricyclo[7.3.1.0(5,13)]-tridecane (BzTATC) yielded the complex [(BzTATC)Zn(Et)][BF4].
• Use of a Precursor of an N-Dopant for Doping an Organic Semiconductive Material, Precursor and Electronic or Optoelectronic Component
  申请人：Limmert Michael

  公开号：US20100187515A1

  公开（公告）日：2010-07-29

  Use of a precursor of an n-dopant for doping an organic semiconductive material, as a blocking layer, as a charge injection layer, as an electrode material, as a storage material or as a semiconductor material itself in electronic or optoelectronic components, the precursor being selected from the following formulae 1-3c:
• US8920944B2
  申请人：——

  公开号：US8920944B2

  公开（公告）日：2014-12-30
• [DE] VERWENDUNG EINES PRECURSORS EINES N-DOTANDEN ZUR DOTIERUNG EINES ORGANISCHEN HALBLEITENDEN MATERIALS, PRECURSOR UND ELEKTRONISCHES ODER OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT<br/>[EN] USE OF A PRECURSOR OF AN N-DOPANT FOR DOPING AN ORGANIC SEMICONDUCTIVE MATERIAL, PRECURSOR AND ELECTRONIC OR OPTOELECTRONIC COMPONENT<br/>[FR] UTILISATION DU PRÉCURSEUR D'UN DOPANT N POUR LE DOPAGE D'UN MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR, PRÉCURSEUR ET COMPOSANT ÉLECTRONIQUE OU OPTOÉLECTRONIQUE
  申请人：NOVALED AG

  公开号：WO2009000237A1

  公开（公告）日：2008-12-31

  [EN] The use of a precursor of an n-dopant for doping an organic semiconductive material, as a blocker layer, as a hole injection layer, as an electrode material, as a storage material or as a semiconductor material itself in electronic or optoelectronic components, wherein the precursor is selected from the following formulae (1-3c).
  [FR] Utilisation du précurseur d'un dopant n pour le dopage d'un matériau semi-conducteur organique, comme couche de blocage, comme couche d'injection de charge, comme matériau d'électrode, comme matériau de mémoire ou comme matériau semi-conducteur en soi, dans des composants électroniques ou optoélectroniques, le précurseur étant sélectionné parmi les formules 1-3c.
  [DE] Verwendung eines Precursors eines n-Dotanden zur Dotierung eines organischen halbleitenden Materials, als Blockerschicht, als Ladungsinjektionsschicht, als Elektrodenmaterial, als Speichermaterial oder als Halbleitermaterial selbst in elektronischen oder optoelektronischen Bauelementen, wobei der Precursor ausgewählt wird aus den folgenden Formeln (1-3c).