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1,2-Di-tert-butyltetraioddisilan | 155166-09-9

中文名称
——
中文别名
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英文名称
1,2-Di-tert-butyltetraioddisilan
英文别名
1,2-di-tert-butyltetraiododisilane;1,2-Di-butyltetraiododisilane;tert-butyl-[tert-butyl(diiodo)silyl]-diiodosilane
1,2-Di-tert-butyltetraioddisilan化学式
CAS
155166-09-9
化学式
C8H18I4Si2
mdl
——
分子量
678.02
InChiKey
ADJKHNAGNFEXBE-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    6.29
  • 重原子数:
    14
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    1,2-Di-tert-butyltetraioddisilan 在 lithium aluminium tetrahydride 作用下, 以 乙醚 为溶剂, 反应 2.0h, 以85%的产率得到1,2-di-tert-butyldisilane
    参考文献:
    名称:
    1,2-二叔丁基乙硅烷的电子衍射、从头算和振动光谱研究
    摘要:
    摘要 1,2-二叔丁基乙硅烷的分子结构已通过气相电子衍射(GED)和从头算计算准确确定。这些技术表明,室温下大多数分子具有整体对称 C2 的反构象,振动光谱证实了这一结论。已经记录了 (CH3)3CSiH2SiH2C(CH3)3 和 (CH3)3CSiD2SiD2C(CH3)3 的气相和液相红外光谱以及液相和固相的拉曼光谱。这种结构最显着的特征 (ra) 是 SiSiC 角与母体四面体角 109.5° 的相对较大偏差 (113.7(3)°, GED; 114.4°, SCF 6-31 G * 为反形式计算)。SiSi 键长与其通常值 (234.8(3) pm, GED; 236.8 pm, SCF 6-31 G ∗ 为反形式计算)也由法向坐标分析给出的 SiSi 价力常数 (169 N m-1) 的值证实。叔丁基倾斜,因此 SiC 键 (GED ( SCF 6-31 G ∗ ): 190
    DOI:
    10.1016/0022-2860(94)09019-l
  • 作为产物:
    描述:
    1,1,2,2-tetraphenyl-1,2-di-tert-butyl-1,2-disilane 在 aluminium(III) iodide 、 氢碘酸 作用下, 以 为溶剂, 生成 1,2-Di-tert-butyltetraioddisilan
    参考文献:
    名称:
    1,2-二叔丁基四卤代二硅烷的合成,化学分析和常规配位分析
    摘要:
    1,2-二叔丁基四苯基乙硅烷与卤化氢HCl,HBr和HI的硅-苯基键裂解产生1,2-二叔丁基四氯乙硅烷,1,2-二叔丁基四溴乙硅烷和1,2 -二叔丁基四碘二硅烷的收率良好。t BuBr 2 SiSiBr 2 t Bu容易与ZnF 2在乙醚中反应形成四氟衍生物。使用三氟甲磺酸,可以从t BuPh 2 SiSiPh 2 t Bu中选择性地除去两个苯基。随后与LiX的反应得到乙硅烷t BuPhXSiSiXPh t Bu(X = F,Cl,Br,I)。最后,不对称叔丁基乙硅烷可以从Ph 2 t BuSiK和t Bu 2 SiHCl中获得t Bu 2 HSiSiPh 2 Bu,t Bu 2 t BrSiSiBr 2 t Bu和t BuHSiSiH 2 t Bu ,然后用HBr溴化并用LiAlH 4还原。报告并通过正态坐标分析分配了t BuX 2 SiSiX 2 t Bu的红外和拉曼振动光谱。
    DOI:
    10.1016/0022-328x(94)88003-4
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文献信息

  • WEIDENBRUCH M.; SCHAEFER A.; RANKERS R., J. ORGANOMETAL. CHEM., 1980, 195, NO 2, 171-184
    作者:WEIDENBRUCH M.、 SCHAEFER A.、 RANKERS R.
    DOI:——
    日期:——
  • Synthese, schwingungsspektren und normalkoordinatenanalyse von 1,2-Di-tert-butyltetrahalogendisilanen
    作者:B Reiter、K Hassler
    DOI:10.1016/0022-328x(94)88003-4
    日期:1994.3
    The cleavage of the silicon-phenyl bonds of 1,2-di-tert-butyltetraphenyldisilane with hydrogen halides HCl, HBr and HI produces 1,2-di-tert-butyltetrachlorodisilane, 1,2-di-tert-butyltetrabromodisilane and 1,2-di-tert-butyltetraiododisilane in good yields. tBuBr2SiSiBr2tBu easily reacts with ZnF2 in diethylether to form the tetrafluoroderivative. With trifluormethanesulfonicacid, two phenyl groups
    1,2-二叔丁基四苯基乙硅烷与卤化氢HCl,HBr和HI的硅-苯基键裂解产生1,2-二叔丁基四氯乙硅烷,1,2-二叔丁基四溴乙硅烷和1,2 -二叔丁基四碘二硅烷的收率良好。t BuBr 2 SiSiBr 2 t Bu容易与ZnF 2在乙醚中反应形成四氟衍生物。使用三氟甲磺酸,可以从t BuPh 2 SiSiPh 2 t Bu中选择性地除去两个苯基。随后与LiX的反应得到乙硅烷t BuPhXSiSiXPh t Bu(X = F,Cl,Br,I)。最后,不对称叔丁基乙硅烷可以从Ph 2 t BuSiK和t Bu 2 SiHCl中获得t Bu 2 HSiSiPh 2 Bu,t Bu 2 t BrSiSiBr 2 t Bu和t BuHSiSiH 2 t Bu ,然后用HBr溴化并用LiAlH 4还原。报告并通过正态坐标分析分配了t BuX 2 SiSiX 2 t Bu的红外和拉曼振动光谱。
  • An electron diffraction, ab initio and vibrational spectroscopic study of 1,2-di-tert-butyldisilane
    作者:Drahomír Hnyk、Robert S. Fender、Heather E. Robertson、David W.H. Rankin、Michael Bühl、Karl Hassler、Karla Schenzel
    DOI:10.1016/0022-2860(94)09019-l
    日期:1995.2
    Abstract The molecular structure of 1,2-di-tert-butyldisilane has been accurately determined by gas-phase electron diffraction (GED) and ab initio calculations. These techniques show that the large majority of molecules at room temperature have the anti conformation with overall symmetry C2, and vibrational spectra confirm this conclusion. Infrared spectra of the gas and liquid phases, and Raman spectra
    摘要 1,2-二叔丁基乙硅烷的分子结构已通过气相电子衍射(GED)和从头算计算准确确定。这些技术表明,室温下大多数分子具有整体对称 C2 的反构象,振动光谱证实了这一结论。已经记录了 (CH3)3CSiH2SiH2C(CH3)3 和 (CH3)3CSiD2SiD2C(CH3)3 的气相和液相红外光谱以及液相和固相的拉曼光谱。这种结构最显着的特征 (ra) 是 SiSiC 角与母体四面体角 109.5° 的相对较大偏差 (113.7(3)°, GED; 114.4°, SCF 6-31 G * 为反形式计算)。SiSi 键长与其通常值 (234.8(3) pm, GED; 236.8 pm, SCF 6-31 G ∗ 为反形式计算)也由法向坐标分析给出的 SiSi 价力常数 (169 N m-1) 的值证实。叔丁基倾斜,因此 SiC 键 (GED ( SCF 6-31 G ∗ ): 190
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