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2-chloro-1,3-diisopropyl-1,3-diaza-2-silacyclopent-4-ene | 1352139-75-3

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
2-chloro-1,3-diisopropyl-1,3-diaza-2-silacyclopent-4-ene
英文别名
(Si(iPrNCHCHNiPr)(H)Cl);2-chloro-1,3-di(propan-2-yl)-2H-1,3,2-diazasilole
2-chloro-1,3-diisopropyl-1,3-diaza-2-silacyclopent-4-ene化学式
CAS
1352139-75-3
化学式
C8H17ClN2Si
mdl
——
分子量
204.775
InChiKey
KORLJNUIKKCPQM-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    1.85
  • 重原子数:
    12
  • 可旋转键数:
    2
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.75
  • 拓扑面积:
    6.5
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    2

上下游信息

  • 下游产品
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    2-chloro-1,3-diisopropyl-1,3-diaza-2-silacyclopent-4-ene 作用下, 以 正己烷 为溶剂, 反应 3.0h, 以58%的产率得到2-amino-1,3-diisopropyl-1,3-diaza-2-silacyclopent-4-ene
    参考文献:
    名称:
    HYDROSILANE DERIVATIVE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON-CONTAINING THIN FILM
    摘要:
    公开号:
    EP2581377B1
  • 作为产物:
    描述:
    dilithium(N,N'-diisopropyl-1,2-vinylenediaminide) 在 三氯硅烷 作用下, 以 正己烷 为溶剂, 反应 16.0h, 以34%的产率得到2-chloro-1,3-diisopropyl-1,3-diaza-2-silacyclopent-4-ene
    参考文献:
    名称:
    HYDROSILANE DERIVATIVE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON-CONTAINING THIN FILM
    摘要:
    公开号:
    EP2581377B1
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文献信息

  • Hydrosilane derivative, method for producing same, and method for producing silicon-containing thin film
    申请人:Tada Ken-ichi
    公开号:US09120825B2
    公开(公告)日:2015-09-01
    This invention aims at providing a material from which a silicon-containing thin film can be efficiently produced at a low temperature of 500° C. or less without using plasma or the like. The invention relates to produce a hydrosilane derivative represented by the general formula (1′) by reacting a chlorosilane derivative (3) with a compound M2Z (4) and produce the silicon-containing thin film by using the hydrosilane derivative as the material. In the formulae, R1, R2 are defined in the specification.
    本发明旨在提供一种材料,该材料可以在不使用等离子体或类似物的情况下,在低于500°C的低温下高效地产生含薄膜。 本发明涉及通过将硅烷生物(3)与化合物M2Z(4)反应产生由通式(1')表示的氢硅烷生物,并使用该氢硅烷生物作为材料制备含薄膜。在式中,R1,R2在规范中定义。
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