2-bromo-7,12-benzanthraquinone | 49600-95-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯丙烷和聚酮 - 角环素
• 英文名称: 2-bromo-7,12-benzanthraquinone
• 英文别名: 2-Bromobenzo[a]anthracene-7,12-dione
• CAS: 49600-95-5
• 化学式: C₁₈H₉BrO₂
• 分子量: 337.172
• InChiKey: WWQBLHKGJNBDFX-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.8
• 重原子数：
  21
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  34.1
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-bromo-7,12-benzanthraquinone 以59%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  HALLMARK R. K.; MANNING W. B.; MUSCHIK G. M., J. LABELLED COMPOUNDS AND RADIOPHARM., 1981, 18, NO 3, 331-345

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  o-<(7-bromo-1-naphthyl)methyl>benzoic acid 在 potassium dichromate 、 zinc(II) chloride 作用下， 生成 2-bromo-7,12-benzanthraquinone
  参考文献：
  名称：

  Synthesis of nuclear monobromobenz[a]anthracenes

  摘要：

  DOI：

  10.1021/jo00165a029

文献信息

• BENZANTHRACENE DERIVATIVES FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICES
  申请人：Stoessel Philipp

  公开号：US20100187505A1

  公开（公告）日：2010-07-29

  The present invention relates to the compounds of the formula (1) and to organic electroluminescent devices, in particular blue-emitting devices, in which these compounds are used as host material or dopant in the emitting layer and/or as hole-transport material and/or as electron-transport material.

  本发明涉及公式（1）的化合物，以及有机电致发光器件，特别是蓝色发光器件，在这些器件中，这些化合物被用作发射层的主体材料或掺杂剂，和/或作为空穴传输材料和/或电子传输材料。
• Durch Einwirkung von Strahlung vernetzendes Gemisch und dessen Verwendung zur Herstellung hochtemperaturbeständiger Reliefstrukturen
  申请人：BASF Lacke + Farben Aktiengesellschaft

  公开号：EP0571899A1

  公开（公告）日：1993-12-01

  Die Erfindung betrifft durch Einwirkung von Strahlung vernetzende Gemische, im wesentlichen bestehend aus (I) mindestens einer in polaren organischen Lösungsmitteln löslichen carboxylgruppenhaltigen polymeren Vorstufe hochtemperaturbeständiger heterocyclischer Polymerer, (II) einem copolymerisierbaren ethylenisch ungesättigten ternären Sulfoniumsalz, (III) einem Photoinitiator oder Photoinitiatorsystem und (IV) mindetens einem polaren aprotischen organischen Lösungsmittel. Diese Gemische eignen sich zur Herstellung hochtemperaturbeständiger Reliefstrukturen.

  本发明涉及在辐射作用下交联的混合物，主要包括 (I) 至少一种可溶于极性有机溶剂的耐高温杂环聚合物的含羧基聚合物前体、 (II) 可共聚的乙烯不饱和三元锍盐 (III) 一种光引发剂或光引发剂体系，以及 (IV) 至少一种极性烷基有机溶剂。 这些混合物适用于生产耐高温浮雕结构。
• Developing solution and method of forming polyimide pattern by using the developing solution
  申请人：Yoshiaki Kawamonzen

  公开号：US20010006767A1

  公开（公告）日：2001-07-05

  Disclosed is a developing solution for a photosensitive polyimide, which consists of an aqueous solution of an amine compound having a base dissociation index pKb [=−log (Kb)=−log (Kw/Ka)=14−pKa, where Kb is a base dissociation constant, Ka is acid dissociation constant of a proton complex, pKa is an acid dissociation index of a proton complex=−log (Ka), and Kw is an ion product of water=1×10 −14 ] of 5 to 8 within an aqueous solution of 25° C.

  本发明公开了一种用于感光聚酰亚胺的显影液，它由一种胺化合物的水溶液组成，该胺化合物的碱解离指数为 pKb [=-log (Kb)=-log (Kw/Ka)&equals；14-pKa，其中 Kb 是碱解离常数，Ka 是质子络合物的酸解离常数，pKa 是质子络合物的酸解离指数=-log (Ka)，Kw 是水的离子积=1×10 -14 ]在 25° C 的水溶液中为 5 至 8。
• Resin-encapsulated semiconductor apparatus and process for its fabrication
  申请人：Hitachi, Ltd.

  公开号：US20020027268A1

  公开（公告）日：2002-03-07

  The present invention provides a resin-encapsulated semiconductor apparatus comprising a semiconductor device having a ferroelectric film and a surface-protective film, and an encapsulant member comprising a resin; the surface-protective film being formed of a polyimide. The present invention also provides a process for fabricating a resin-encapsulated semiconductor apparatus, comprising the steps of forming a film of a polyimide precursor composition on the surface of a semiconductor device having a ferroelectric film; heat-curing the polyimide precursor composition film to form a surface-protective film formed of a polyimide; and encapsulating, with an encapsulant resin, the semiconductor device on which the surface-protective film has been formed. The polyimide may preferably have a glass transition temperature of from 240° C. to 400° C. and a Young's modulus of from 2,600 MPa to 6 GPa. The curing may preferably be carried out at a temperature of from 230° C. to 300° C.

  本发明提供了一种树脂封装半导体装置，该装置包括具有铁电薄膜和表面保护膜的半导体器件，以及由树脂组成的封装件；表面保护膜由聚酰亚胺形成。本发明还提供了一种制造树脂封装半导体设备的工艺，包括以下步骤：在具有铁电薄膜的半导体设备表面形成聚酰亚胺前体组合物薄膜；热固化聚酰亚胺前体组合物薄膜，形成由聚酰亚胺构成的表面保护膜；以及用封装树脂封装已形成表面保护膜的半导体设备。聚酰亚胺最好具有 240°C 至 400°C 的玻璃转化温度和 2,600 MPa 至 6 GPa 的杨氏模量。固化最好在 230 摄氏度至 300 摄氏度的温度下进行。
• NEWMAN, M. S.;PRABHU, V. S.;VEERARAGHAVAN, S., J. ORG. CHEM., 1983, 48, N 17, 2926-2928
  作者：NEWMAN, M. S.、PRABHU, V. S.、VEERARAGHAVAN, S.

  DOI：——

  日期：——