Ga2 在 12 K 时与固体 Ar 基质中的 H2 自发反应,形成环状分子 Ga(mu-H)2Ga。In2 在类似条件下不与 H2 反应,但在波长接近 365 nm 的照射下会诱导相应的氢化
铟 In(mu-H)2In 的形成。这些分子已通过包含
金属和 H2、D2、HD 或 H2+D2 的基质显示的 IR 光谱进行识别和表征;它们均具有 D2h 对称性的平面二氢桥接结构,通过比较测量光谱 (i) 与量子
化学计算预测的特性以及 (ii) 与已知的
镓和
铟氢化物的光谱进行比较。两者在可见光(λ > 450 nm)下都是光不稳定的:绿光(λ = 大约 546 nm)导致 Ga(mu-H)2Ga 异构化为
HGaGaH 和 H2GaGa 的混合物,而 In(mu-H)2In 的宽带可见光辐射 (λ > 450 nm) 会产生异构体 HInInH,以及 InH。异构化可以通过
HGaGaH、H2GaGa