vinyl-iso-butyldimethoxysilane | 86368-73-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: vinyl-iso-butyldimethoxysilane
• 英文别名: Ethenyl-dimethoxy-(2-methylpropyl)silane
• CAS: 86368-73-2
• 化学式: C₈H₁₈O₂Si
• 分子量: 174.315
• InChiKey: QZOSZICRWGJQRX-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.1
• 重原子数：
  11
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.75
• 拓扑面积：
  18.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  氯代异丁烷 生成 vinyl-iso-butyldimethoxysilane
  参考文献：
  名称：

  SILICON-CONTAINING FILM, FORMING MATERIAL, MAKING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

  摘要：

  使用一个环状环氧硅烷化合物，其中含有直接连接到硅原子的乙烯基团和相对较大的取代基团，其中包含一个与硅相邻的主要碳基团，可以通过等离子体增强的CVD过程形成介电薄膜，特别是低k层间介电薄膜。

  公开号：

  US20080274627A1

文献信息

• SILICON-CONTAINING FILM, FORMING MATERIAL, MAKING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
  申请人：HAMADA Yoshitaka

  公开号：US20080274627A1

  公开（公告）日：2008-11-06

  Using a cyclic siloxane compound having a vinyl group directly attached to a silicon atom and a relatively bulky substituent group containing a primary carbon vicinal to the silicon, a dielectric film, especially a low-k interlayer dielectric film can be formed by the plasma-enhanced CVD process.

  使用一个环状环氧硅烷化合物，其中含有直接连接到硅原子的乙烯基团和相对较大的取代基团，其中包含一个与硅相邻的主要碳基团，可以通过等离子体增强的CVD过程形成介电薄膜，特别是低k层间介电薄膜。